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    AS8E512K8CW-200/HQ 参数 Datasheet PDF下载

    AS8E512K8CW-200/HQ图片预览
    型号： AS8E512K8CW-200/HQ
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 512K ×8 EEPROM EEPROM模块 [512K x 8 EEPROM EEPROM Module]
    分类和应用： 内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
    文件页数/大小： 13 页 / 146 K
    品牌： AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号AS8E512K8CW-200/HQ的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AS8E512K8CW-200/HQ的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AS8E512K8CW-200/HQ的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AS8E512K8CW-200/HQ的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AS8E512K8CW-200/HQ的Datasheet PDF文件第9页浏览型号AS8E512K8CW-200/HQ的Datasheet PDF文件第11页浏览型号AS8E512K8CW-200/HQ的Datasheet PDF文件第12页浏览型号AS8E512K8CW-200/HQ的Datasheet PDF文件第13页  
    EEPROM
    奥斯汀半导体公司
    切换位特点
    (1)
    参数
    数据保持时间
    OE \\保持时间
    OE \\到输出延迟
    OE \\高脉冲
    写恢复时间
    2
    AS8E512K8
    符号
    t
    DH
    t
    OEH
    t
    OE
    t
    OEHP
    t
    WR
    民
    10
    10
    最大
    单位
    ns
    ns
    ns
    150
    0
    ns
    注意事项：
    1.这些参数的特点，而不是100 ％测试。
    2.见交流阅读特点。
    触发位波形
    (1,2,3)
    WE \\
    CE \\
    t
    OEH
    ?
    OE \\
    t
    DH
    t
    OE
    I/O6
    高Z
    t
    WR
    注意事项：
    1.切换要么OE \\或CE \\或两者OE \\和CE \\将操作触发位。
    2.开始和结束的I / O6的状态会有所不同。
    3.可以使用任何地址的位置，但该地址不应该发生变化。
    AS8E512K8
    第3.1版6/05
    奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
    10

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