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AS8E512K8CW-200/HQ 参数 Datasheet PDF下载

AS8E512K8CW-200/HQ图片预览
型号: AS8E512K8CW-200/HQ
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内容描述: 512K ×8 EEPROM EEPROM模块 [512K x 8 EEPROM EEPROM Module]
分类和应用: 内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 13 页 / 146 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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EEPROM
奥斯汀半导体公司
页模式特征
参数
地址, OE \\建立时间
地址保持时间
片选建立时间
芯片选择保持时间
把脉冲宽度(WE \\或CE \\ )
数据建立时间
数据显示, OE \\保持时间
符号
t
AS
, t
OES
t
AH
t
CS
t
CH
t
WP
t
DS
t
DH
, t
OEH
10
50
0
0
100
50
10
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
AS8E512K8
页面模式写波形
(1,2,3)
OE \\
?
CE \\
t
WPH
WE \\
t
AS
A0-A18
t
AH
t
DS
数据
有效数据
BYTE 0
1个字节
2字节
BYTE 3
BYTE 126
BYTE 127
t
BLC
t
WP
有效的ADDR
t
DH
注意事项:
1. A7至A16必须在每个高到低过渡指定的页面地址
? W / ë
(或
? C / E ) 。
2.
? O / E
只能在高
? W / ë
? C / E
都很低。
3, A17和A18必须保持整个WE \\和CE \\低有效。
t
WC
芯片擦除波形
V
IH
CE \\
V
IL
V
H
?
OE \\
V
IH
注意事项:
t
S
= 5μsec (分钟)
t
W
= t
H
= 10毫秒(分钟)
V
H
=12.0 V +/- 0.5 V
AS8E512K8
第3.1版6/05
t
S
t
H
?
WE \\
V
IH
V
IL
t
w
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
6