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    AS8E512K8CW-200/HQ 参数 Datasheet PDF下载

    AS8E512K8CW-200/HQ图片预览
    型号： AS8E512K8CW-200/HQ
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 512K ×8 EEPROM EEPROM模块 [512K x 8 EEPROM EEPROM Module]
    分类和应用： 内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
    文件页数/大小： 13 页 / 146 K
    品牌： AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号AS8E512K8CW-200/HQ的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AS8E512K8CW-200/HQ的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AS8E512K8CW-200/HQ的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AS8E512K8CW-200/HQ的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AS8E512K8CW-200/HQ的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AS8E512K8CW-200/HQ的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AS8E512K8CW-200/HQ的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AS8E512K8CW-200/HQ的Datasheet PDF文件第9页  
    EEPROM
    奥斯汀半导体公司
    AS8E512K8
    电气特性和推荐AC读操作
    条件
    (-55
    o
    C<T
    A
    <+125
    o
    ℃; VCC = 5V + 10 ％ ）
     
       

    

       

    

     

    
    
    
    
           
    

    

    

    

    
    
    

    

    

    
    

    
    
       

    

          
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    交流读波形
    (1,2,3,4)
    地址
    CE \\
    t
    CE
    t
    OE
    t
    加
    产量
    V
    ALID
    地址有效
    OE \\
    t
    DF
    t
    OH
    产量
    高Z
    注意事项：
    1. CE \\可能会延迟到t
    加
    -t
    CE
    地址跃迁后
    化不inpact对T
    加
    .
    2. OE \\可能会延迟到t
    CE
    -t
    OE
    的下降沿之后
    CE \\无inpact对T
    CE
    或用t
    加
    -t
    OE
    一个地址后，
    更改，恕不inpact对T
    加
    .
    3. t
    DF
    从OE \\或CE \\指定以先到者为准
    (C
    L
    = 5pF的） 。
    4.此参数的特点，而不是100％测试。
    5， A17和A18必须通过WE \\和CE \\仍然有效
    低脉冲。
    输入测试波形和测量
    水平之AC测试条件
    在P ü吨P ü LS è L E V ê LS
    在P ü吨R是E A N D F A LL牛逼的IM （E S）
    在P ü T A N D O u那样TP ü吨
    牛逼的IM以g ř Ë FE重新ñ权证L E V ê LS
    AS8E512K8
    第3.1版6/05
    输出测试负载
    5.0V
    1.8K
    1.3K
    100pF
    0 V至3 0.0 V
    5nS
    1 .5 V
    奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
    4

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