初步
规范
奥斯汀半导体公司
EEPROM
AS8ERLC128K32
软件数据保护时序波形(在非保护模式)
V
CC
CE \\
t
WC
正常
主动模式
WE \\
地址
5555
AAAA
or
2AAA
55
5555
5555 AAAA
or
2AAA
AA
55
5555
数据(每个字节)
AA
80
20
功能说明
自动翻页写
分页模式写入功能允许数据1到128字节是
写入到在一个写周期中的EEPROM中。以下
初始字节周期,附加的1至128个字节可以被写入
10中相同的方式。每增加一个字节负载循环必须
从我们的前面的下降沿为30μs内开始\\
或CE \\ 。当CE \\或WE \\保持为高电平输入数据后100μs的,
EEPROM进入写操作会自动模式和输入
数据被写入到EEPROM中。
DATA \\轮询
数据\\轮询允许EEPROM的状态为阻止 -
开采。如果EEPROM被设定在写入周期读取模式,
数据的最后一个字节的反转,以从加载的输出
I / O的7 , 15 , 23 ,和31 ,表明EEPROM是per-
形成一个写操作。
RDY /忙\\信号
RDY /忙\\信号也允许EEPROM的状态为
确定的。在RDY /忙\\信号具有高阻抗EX-
概念在写周期和下降到V
OL
第一次写入后
信号。在写周期时,RDY /忙\\信号变化的结束
国家为高阻抗。
RES \\信号
当RES \\低时, EEPROM的不能被读取或亲
编程。因此,数据可以通过保持RES被保护\\
低当V
CC
被切换。 RES \\应该是在读高
和编程,因为它不提供闩锁功能。
请参见下面的时序图。
RES \\信号图
V
CC
禁读
禁读
RES \\
1
禁止程序
禁止程序
注: (S ) :
1 RES \\ = TRUE = V
L
> / = - 0.3V < / 0.4V =
AS8ERLC128K32
修订版1.9 06/06
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
10