初步
规范
奥斯汀半导体公司
WE \\ CE \\引脚工作
在写周期，地址是由下降沿锁存
的WE \\或CE \\ ，并且数据由WE的上升沿锁存\\
或CE \\ 。
写/擦除耐用性和数据保留时间
续航能力为10
4
的情况下在页面的编程周期
和10
3
在这时的字节编程的周期（ 1％ cumula-
略去故障率） 。数据保留时间大于10
年，当一个设备被页面编程小于10
4
周期。
EEPROM
AS8ERLC128K32
可作为触发器，并转动的EEPROM编程
模式错误。为了防止这种现象，本装置具有
噪声消除功能，削减噪音，如果其宽度为20ns
或者在程序模式较少。
要小心，不要让宽度的噪音超过
为20ns的控制引脚。见下图1 。
2.
数据保护在V
CC
开/关
当V
CC
被导通或关断，噪声对控制
通过外部电路（ CPU等）中产生的引脚可以用作
触发并把EEPROM编程模式错误。
为了防止这种意外编程， EEPROM必须
保持在一个不可编程的状态，而CPR处于
不稳定的状态。
注： EEPROM应保持在
在V不可编程状态
CC
开/关通过使用CPU的RE-
SET信号。请参见下面的时序图。
RDY /忙\\信号
RDY /忙\\信号也允许EEPROM的状态
来确定。在RDY /忙\\信号具有高阻抗
除了在写周期和下降到V
OL
第一次写入后
信号。在写周期的结束时，RDY /忙\\信号
改变状态为高阻抗。这让很多
AS8ERLC128K32设备RDY /忙\\信号线是wired-
或一起。
图1
编程/擦除
该AS8ERLC128K32做
不
采用批量擦除
功能。的存储单元可以被编程' 0'或' 1' 。一
写周期执行擦除&写在每一个功能
周期与擦除是对用户透明的。内部
擦除数据状态被认为是“1”。编程内存
阵列与所有0的背景或所有1的，用户将
使用页面模式的写操作，以亲编程该数据
克所有1024的128字节的页。
数据保护
1.
对噪声数据的保护控制引脚（ CE \\
OE \\我们\\）在操作过程中
在读或待机状态下，噪音的控制引脚
数据保护在V
CC
开/关
V
CC
中央处理器
RESET
*不可编程
*不可编程
AS8ERLC128K32
修订版1.9 06/06
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
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AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
