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AS8F128K32Q1-90/Q 参数 Datasheet PDF下载

AS8F128K32Q1-90/Q图片预览
型号: AS8F128K32Q1-90/Q
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内容描述: 128K ×32的FLASH快闪存储器阵列 [128K x 32 FLASH FLASH MEMORY ARRAY]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路
文件页数/大小: 22 页 / 390 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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FL灰
奥斯汀半导体公司
DC特性
参数
输入负载电流
A9输入负载电流
输出漏电流
V
CC
工作电流
V
CC
工作电流
1
2,3
AS8F128K32
最大
±10
200
±10
140
200
6.5
2
-0.5
2.0
0.8
V
CC
+ 0.5
12.5
0.45
2.4
0.85 V
CC
V
CC
-0.4
3.2
4.2
单位
µA
µA
µA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
符号
I
LI
I
点亮
I
LO
I
CC1
I
CC2
条件
V
IN
= V
SS
到V
CC
, V
CC
= V
CC
最大
V
CC
= V
CC
马克斯, A9 = 12.5V
V
OUT
= V
SS
到V
CC
, V
CC
= V
CC
最大
CEX \\ = V
白细胞介素,
OE \\ = V
IH
, V
CC
= V
CC
马克斯, F = 5MHz时
CEX \\ = V
白细胞介素,
OE \\ = V
IH
, V
CC
= V
CC
马克斯, F = 5MHz时
V
CC
= V
CC
马克斯, CEX \\和OE \\ = V
IH ,
F = 5MHz时
V
CC
= V
CC
马克斯, CEX \\ = V
CC
± 0.3V , OE \\ = V
IH
V
CC
待机电流
输入低电压
输入高电压
TTL / NMOS
CMOS
I
CC3
I
CC3
V
IL
V
IH
V
ID
V
OL
电压自动选择和临时
部门撤消
输出低电压
TTL / NMOS
输出高电压
CMOS
低V
CC
锁定电压
V
CC
= 5.0V
I
OL
= 12毫安,V
CC
= V
CC
I
OH
= -2.5mA ,V
CC
= V
CC
I
OH
= -2.5mA ,V
CC
= V
CC
I
OH
= -100μA ,V
CC
= V
CC
11.5
V
OH
V
OH1
V
OH2
V
LKO
注意事项:
1.我
CC
目前上市的是通常小于8毫安/兆赫,使用OE \\在V
IH
.
2. I
CC
积极而嵌入式程序或嵌入式擦除算法正在进行中。
3.未经100%测试。
图7 :测试设置
表6 :测试规范
条件
输出负载
输出负载Capacitiance ,C
L
(包括夹具电容)
输入上升和下降时间
输入脉冲电平
输入定时测量
参考电平
输出定时测量
参考电平
所有速度
单位
1 TTL门
50
5
0.0 - 0.3
1.5
1.5
pF
ns
V
V
V
注意:
二极管IN3064或同等学历。
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
AS8F128K32
2.0版本5/03
12