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    AS8F128K32Q1-90/Q 参数 Datasheet PDF下载

    AS8F128K32Q1-90/Q图片预览
    型号： AS8F128K32Q1-90/Q
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 128K ×32的FLASH快闪存储器阵列 [128K x 32 FLASH FLASH MEMORY ARRAY]
    分类和应用： 闪存存储内存集成电路
    文件页数/大小： 22 页 / 390 K
    品牌： AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号AS8F128K32Q1-90/Q的Datasheet PDF文件第9页浏览型号AS8F128K32Q1-90/Q的Datasheet PDF文件第10页浏览型号AS8F128K32Q1-90/Q的Datasheet PDF文件第11页浏览型号AS8F128K32Q1-90/Q的Datasheet PDF文件第12页浏览型号AS8F128K32Q1-90/Q的Datasheet PDF文件第14页浏览型号AS8F128K32Q1-90/Q的Datasheet PDF文件第15页浏览型号AS8F128K32Q1-90/Q的Datasheet PDF文件第16页浏览型号AS8F128K32Q1-90/Q的Datasheet PDF文件第17页  
    FL灰
    奥斯汀半导体公司
    AC特性
    参数
    只读操作
    读周期时间
    1
    AS8F128K32
    -60 -70 -90 -120 -150单位
    60 70 90 120 150
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    符号
    JEDEC标准
    t
    AVAV
    t
    AVQV
    t
    ELQV
    t
    GLQV
    t
    EHQZ
    t
    GHQZ
    1,2
    1,2
    测试设置
    民
    CEX \\ = V
    IL
    OE \\ = V
    IL
    t
    RC
    t
    加
    t
    CE
    t
    OE
    t
    DF
    t
    DF
    t
    OEH
    读
    切换和
    数据轮询
    地址输出延迟
    芯片使能到输出延迟
    输出使能到输出延迟
    芯片使能到输出高Z
    最大60 70 90 120 150
    最大60 70 90 120 150
    最大30 35 40
    最大20 20 25
    最大20 20 25
    民
    民
    民
    0
    10
    0
    50
    30
    30
    55
    35
    35
    输出使能到输出高Z
    输出使能保持时间
    1
    从地址输出保持时间
    CEX \\或OE \\ ，以先到者为准
    擦除和编程操作
    写周期时间
    1
    t
    AXQX
    t
    AVAV
    t
    AVWL
    t
    WLAX
    t
    DVWH
    t
    WHDX
    t
    GHWL
    t
    ELWL
    t
    WHEH
    t
    WLWH
    t
    WHWL
    t
    OH
    t
    WC
    t
    AS
    t
    AH
    t
    DS
    t
    DH
    t
    GHWL
    t
    CS
    t
    CH
    t
    WP
    t
    WPH
    t
    WHWH1
    t
    WHWH2
    t
    VCS
    民
    民
    民
    民
    民
    民
    民
    民
    民
    民
    典型值
    典型值
    民
    60 70 90 120 150
    0
    45 45 45
    30 30 45
    0
    0
    0
    0
    30 35 45
    20
    14
    1.0
    50
    50
    50
    50
    50
    50
    50
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    µs
    美国证券交易委员会
    µs
    地址建立时间
    地址保持时间
    数据建立时间
    数据保持时间
    阅读恢复时间之前写
    （ OE \\高到WEX \\低）
    CEX \\建立时间
    CEX \\保持时间
    把脉冲宽度
    写脉冲宽高
    字节编程操作
    扇区擦除操作
    V
    CC
    建立时间
    1
    4
    4
    t
    WHWH1
    t
    WHWH2
    注意事项：
    1.
    2.
    3.
    4.
    未经100％测试。
    输出驱动器禁止时间。
    参见图7和表6测试规范。
    请参阅“擦除和编程性能”一节以获取更多信息。
    AS8F128K32
    2.0版本5/03
    奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
    13

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