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AS8NVC512K32Q-45XT 参数 Datasheet PDF下载

AS8NVC512K32Q-45XT图片预览
型号: AS8NVC512K32Q-45XT
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内容描述: 512K ×32模块的nvSRAM 5.0V高速SRAM与非易失性存储 [512K x 32 Module nvSRAM 5.0V High Speed SRAM with Non-Volatile Storage]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 17 页 / 364 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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奥斯汀半导体公司
超前信息
奥斯汀半导体公司
最佳实践
的nvSRAM产品得到了有效的超过15年使用。
而易用性是该产品的主要价值体系之一,
经验正与数百个应用程序,导致
以下建议,最佳做法:
是非易失性的细胞在此的nvSRAM产品交付
奥斯汀半导体用0x00写入所有的细胞。来
检查程序在客户或合同制造商的网站
有时重新编程这些值。最后NV模式是典型的
重复AA , 55 , 00 , FF ,A5或5A的图案。最终产品的
固件不应该承担NV数组是一组编程
状态。该检查内存内容值程序来确定
第一次的系统配置,冷或热启动状态,所以
上应该始终设定一个独特的NV模式(即,复
46 E6 49 53 (十六进制)或更多的随机字节)的一部分4字节模式
最终的系统生产测试,以确保这些系统
程序始终正常工作。
AS8nvC512K32
NVSRAM
开机启动固件程序应该重写的nvSRAM
成所需的状态(例如,自动存储使能)。而
的nvSRAM出厂的预设状态下,最好的做法是再
重写的nvSRAM进入理想状态作为对一种保障
可能翻转位不经意的事件,如程序漏洞
和进料检验程序。
在V
本数据表中指定的值包括最小
和的最大值的大小。最好的做法是符合这个要求
和不超过最大V
值,因为该NVSRAM
内部算法计算出V
基于充电和放电的时间
在此MAX V
值。希望客户能够使用较大的V
值,以确保没有额外的收费存储和存储时间应
讨论他们的V
与奥斯汀半导体尺寸选择
了解在V产生任何影响
在一对端电压电平
t
召回
期。
AS8nvC512K32
修订版0.0 08/09
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
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