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    AS8NVC512K32Q-45XT 参数 Datasheet PDF下载

    AS8NVC512K32Q-45XT图片预览
    型号： AS8NVC512K32Q-45XT
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 512K ×32模块的nvSRAM 5.0V高速SRAM与非易失性存储 [512K x 32 Module nvSRAM 5.0V High Speed SRAM with Non-Volatile Storage]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器
    文件页数/大小： 17 页 / 364 K
    品牌： AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号AS8NVC512K32Q-45XT的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AS8NVC512K32Q-45XT的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AS8NVC512K32Q-45XT的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AS8NVC512K32Q-45XT的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AS8NVC512K32Q-45XT的Datasheet PDF文件第9页浏览型号AS8NVC512K32Q-45XT的Datasheet PDF文件第10页浏览型号AS8NVC512K32Q-45XT的Datasheet PDF文件第11页浏览型号AS8NVC512K32Q-45XT的Datasheet PDF文件第12页  
    奥斯汀半导体公司
    超前信息
    奥斯汀半导体公司
    数据保留和耐力
    参数
    数据
    R
    NV
    C
    描述
    数据保留
    非易失性存储操作
    民
    20
    200
    单位
    岁月
    周期
    AS8nvC512K32
    NVSRAM
    电容
    在下面的表中，电容参数列。
    12
    参数
    描述
    C
    IN
    输入电容（地址， OE \\ ， HSB \\ ）
    C
    IN
    C
    输出（ DQ）
    输入电容（ CE \\
    1 4
    我们\\
    1 4
    I / O容量
    测试条件
    T
    A
    = 25 ° C，F = 1MHz时，
    V
    CC
    = 0〜 3.0V
    民
    50
    20
    25
    单位
    pF
    pF
    pF
    热阻
    在下面的表中，热阻参数列。
    12
    参数
    JA
    JC
    描述
    热阻
    （结到环境）
    热阻
    （结点到外壳）
    测试条件
    测试条件遵循的标准测试方法
    以及用于测量热过程
    阻抗，根据EIA / JESD51的。
    44 TSOP II
    待定
    待定
    44鸥翼式单位
    待定
    待定
    o
    C / W
    C / W
    o
    AC测试负载
    577
    5.0V
    产量
    30 pF的
    R2
    789
    R1
    577
    5.0V
    产量
    5 pF的
    R2
    789
    R1
    为三态规格
    AC测试条件
    输入脉冲电平............................................... ..... 0V到3V
    输入上升和下降时间（ 10 ％ - 90 ％ ） ........................ <3 NS
    输入和输出时序参考电平1.5V ....................
    记
    12.这些参数是保证，但未经测试。
    AS8nvC512K32
    修订版0.0 08/09
    奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
    8

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