奥斯汀半导体公司
超前信息
奥斯汀半导体公司
AC开关特性
参数
奥斯汀半
ALT
参数参数
描述
SRAM读周期
t
ACE
t
ACS
芯片使能存取时间
t
RC
t
AA
13
14
AS8nvLC512K32
45纳秒
民
最大
45
45
25
12
45
20
2
2
10
15
0
10
15
0
25
12
45
20
0
10
15
45
30
30
15
0
30
0
0
10
15
2
30
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
NVSRAM
20纳秒
民
最大
20
20
20
10
2
2
8
0
8
0
20
10
0
8
20
15
15
8
0
15
0
0
8
2
15
2
20
25
20
20
10
0
20
0
0
0
0
0
2
2
25
民
25纳秒
最大
25
t
RC
t
AA
t
OE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OLZ
t
OHZ
t
PA
t
PS
读周期时间
地址访问时间
输出使能到数据有效
地址变更后的输出保持
芯片使能到输出有效
芯片禁用到输出有效
输出使能输出活跃
输出禁止到输出无效
芯片使能为功耗工作
芯片禁用到备用电源
字节使能到数据有效
字节使能输出活跃
字节禁用输出无效
写周期时间
把脉冲宽度
芯片使能写操作的结束
数据建立到写结束
写入结束后数据保持
地址设置为写操作结束
地址设置为写操作结束
写入结束后地址保持
写使能到输出禁止
输出写入结束后主动
字节使能，以结束写的
t
美国能源部
t
OHA
t
LZCE
t
HZCE
t
HZOE
t
PU
t
PD
12
12
14
12, 15
12, 15
t
LZOE 12,15
12, 15
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
12
12
SRAM写周期
t
WC
t
WC
t
PWE
t
SCE
t
SD
t
HD
t
AW
t
SA
t
HA
t
HZWE
t
LZWE
t
BW
12, 15, 16
12, 15
t
WP
t
CW
t
DW
t
DH
t
AW
t
AS
t
WR
t
WZ
t
OW
开关波形
SRAM读周期1：地址受控
13, 14, 17
t
RC
地址
地址有效
t
AA
数据输出
以前的数据有效
t
OHA
笔记
13.WE \\必须在SRAM读周期高。
14.设备不断选择与CE \\ OE \\低。
15.Measured ±200 mV的自稳态输出电压。
16.如果我们\\为低电平时， CE \\变为低电平时，输出保持在高阻抗状态。
17. HSB \\必须保持在读取和写入周期高。
输出数据有效
AS8nvLC512K32
修订版0.0 08/09
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
9
AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
