奥斯汀半导体公司
超前信息
奥斯汀半导体公司
最大额定值
超出最大额定值可能损害的使用寿命
装置。这些用户指导未经测试。
储存温度.............................................- 65 ° C至+ 150°C
最大累积储存时间
在150 °C环境温度............................... 1000H
在85 °C环境温度............................. 20年
环境温度与
电源应用................................................ ......- 55 ° C至+ 125°C
电源电压Vcc的上相对于GND ................... -0.5V至4.1V
施加电压到输出
在高阻状态............................................. .. -0.5V至Vcc + 0.5V
输入电压................................................ .. -0.5V至Vcc + 0.5V
瞬态电压（ <20 NS ）
AS8nvLC512K32
NVSRAM
任何引脚接地电位............................- 2.0V到Vcc + 2.0V
封装功耗
能力（ TA = 25℃） .......................................... ................. 1.0W
表面贴装无铅焊接
温度（ 3秒） ............................................. ......... + 260℃
直流输出电流（ 1输出的时间， 1秒持续时间） .............. 15毫安
静电放电电压............................................... ..... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流............................................... .............. > 200毫安
工作范围
范围
军事
产业
环境温度
VCC
55
o
C至+ 125
o
C
3.0V至3.6V
o
o
40℃到+ 85℃
3.0V至3.6V
DC电气特性
在整个工作范围（V
CC
= 3.0V至3.6V ）
参数
描述
测试条件
的tRC = 20 ns的
的tRC = 25 ns的
的tRC = 45 ns的
无输出负载（ IOUT = 0 mA时）得到的数值
军事
最小最大
320
320
260
280
280
210
40
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
I
CC1
平均V
CC
当前
产业
平均V
CC
当前
在商店
平均V
cc
电流
t
RC
= 200纳秒， 3V ，25°C
典型
平均V
帽
当前
在自动存储周期
V
CC
待机电流
输入漏电流
（ HSB除外\\）
输入漏电流
（对于HSB \\ ）
关态输出
漏电流
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
11
I
CC2
所有的输入无关，V
CC
=最大
对于持续时间T的平均电流
商店
在CMOS电平的所有I / P循环。
无输出负载得到的值（我
OUT
= 0 mA）的。
所有的输入无关，V
CC
=最大
对于持续时间T的平均电流
商店
CE \\ （V
CC
- 0.2V ） 。所有其它V
IN
或0.2V （V
CC
- 0.2V ） 。待机
非易失性循环后的电流电平已完成。
输入是静态的。 F = 0兆赫。
V
CC
=最大， VSS VIN VCC
V
CC
=最大， VSS VIN VCC
V
CC
=最大，V
SS
V
OUT
V
CC
，CE \\或OE \\ V
IH
或BHE \\ / BLE \\ V
IH
或WE \\ V
IL
5
I
CC3 9
140毫安
I
CC4
20
mA
I
SB
20
mA
5
μA
μA
μA
V
V
V
I
IX
10
400 10
10
2.2
V
SS
0.3
10
V
CC
+
0.3
0.8
I
OZ
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
帽
I
OUT
= -2毫安
I
OUT
= 4毫安
V之间
帽
引脚和V
SS
，额定6.3V
2.4
0.4
80
180
V
μF
储能电容
笔记
在直流电气特性示于有功电流9.典型的条件是在25℃ （室温） ，和V的平均值
CC
= 3V 。不
100 ％测试。
10. HSB \\引脚有我
OUT
= -8微安的V
OH
2.4V时主动HIGH和LOW驱动器被禁用。当他们被允许标准的V
OH
和V
OL
是
有效的。此参数的特点，但未经测试。
11. V
帽
（存储电容）标称值为88 uF的总限额。
AS8nvLC512K32
修订版0.0 08/09
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
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AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
