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MT5C1001DCJ-35/883C 参数 Datasheet PDF下载

MT5C1001DCJ-35/883C图片预览
型号: MT5C1001DCJ-35/883C
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内容描述: 1M ×1 SRAM SRAM存储器阵列 [1M x 1 SRAM SRAM MEMORY ARRAY]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 13 页 / 95 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
对任何输入相对于Vss ................................- 。 5V至+ 7V电压
在VCC电源相对于Vss ...............................- 。 5V至+ 7V电压
施加电压到Q .............................................. ..............- , 5V至+ 6V
存储温度................................................ ......- 65
o
C至+150
o
C
功耗................................................ .............................. 1W
短路输出电流.............................................. ........... 20毫安
引线温度(焊接10秒) .................................... + 260
o
C
结温................................................ .................. + 175
o
C
MT5C1001
有限
SRAM
*应力大于下& QUOT上市,绝对最大
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值,器件的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作部分将得不到保证。曝光
在绝对最大额定值条件下工作
会影响其可靠性。
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
o
Ç <牛逼
C
& LT ; 125
o
℃; V
CC
= 5V +10%)
描述
输入高电平(逻辑1 )电压
输入低电平(逻辑0 )电压
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
条件
符号
V
IH
V
IL
IL
I
IL
O
V
OH
V
OL
2.2
-0.5
-5
-5
2.4
最大
VCC+0.5
0.8
5
5
0.4
单位
V
V
µA
µA
V
V
1
1
笔记
1
1, 2
0V
V
IN
VCC
输出(S )禁用
0V & LT ; V
OUT
& LT ; VCC
I
OH
= -4.0mA
I
OL
= 8.0毫安
参数
电源
当前位置:工作
条件
CE \\ < V
IL
; V
CC
=最大
F = MAX = 1 /吨
RC
(分钟)
输出开路
CE \\ > V
IH
; V
CC
=最大
F = MAX = 1 /吨
RC
(分钟)
输出开路
CE \\ > V
IH
;所有其它输入
& LT ; V
IH
或> V
IH
, V
CC
=最大
F = 0赫兹
CE \\ > V
CC
-0.2V; V
CC
=最大
V
IL
& LT ; V
SS
+0.2V
V
IH
& GT ; V
CC
-0.2V ; F = 0赫兹
\u003e\u003e 1 & QUOT ;版本只
符号
I
cc
-20
125
最大
-25
-35
120
115
-45
110
单位备注
mA
3
电源
电流:待机
I
SBT1
50
45
40
35
mA
I
SBT2
25
25
25
25
mA
I
SBC2
I
SBC2
10
5
10
5
10
5
10
5
mA
mA
电容
参数
输入电容( A3 - A5 , A15 -A17 )
输出Capactiance ( Q)
输入电容(所有其他输入)
T
A
= 25°C , F = 1MHz的
V
CC
= 5V
o
条件
符号
C
I
Co
C
I
最大
10
8
8
单位
pF
pF
pF
笔记
4
4
4
MT5C1001
2.1版06/05
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
3