奥斯汀半导体公司
AC测试条件
输入脉冲电平................................... VSS至3.0V
输入上升和下降时间为5ns .......................................
输入时序参考电平1.5V .............................
输出参考电平1.5V .....................................
输出负载..............................参见图1和图2
MT5C1001
有限
SRAM
167Ω
Q
30pF
V
TH
= 1.73V Q
167Ω
5pF
V
TH
= 1.73V
图。 1输出负载
当量
图。 2输出负载
当量
笔记
1.
2.
3.
参考V所有电压
SS
（GND）。
-3V脉冲宽度为20ns <
I
CC
依赖于输出负载和循环率。
指定的值适用于与输出
卸，并且f =
1
赫兹。
t
RC （ MIN ）
此参数是保证，但未经测试。
试验条件与输出负载指定
如示于图1 ，除非另有说明。
t
LZCE
, t
LZWE
, t
LZOE
, t
HZCE
, t
HZOE
和T
HZWE
是
用CL = 5pF的指定与图2.过渡
测量± 200mV的自稳态电压典型，
4.
5.
6.
允许实际测试器的RC时间常数。
7.在任何给定的温度和电压条件下，
t
HZCE
小于吨
LZCE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
和
t
HZOE
小于吨
LZOE
.
8.我们\\是高读周期。
9.设备不断选择。芯片使能和
输出使他们的活动状态被保持。
10.地址有效之前或重合，最新
发生芯片使能。
11. t
RC
=读周期时间。
12.芯片使能（ CE \\ ）和写使能（WE \\）可以启动和
结束一个写周期。
数据保留电气特性（仅L型）
描述
V
CC
为保留数据
条件
CE \\ > （V
CC
- 0.2V)
和
V
IN
> （V
CC
- 0.2V)
或< 0.2V
符号
V
DR
I
CCDR
V
CC
= 2V
V
CC
= 3V
t
民
2
最大
--
1.0
1.5
单位
V
mA
mA
ns
笔记
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
CDR
t
0
--
t
4
4, 11
R
RC
ns
VCC低于数据保存波形
V
CC
t
CDR
数据保持方式
4.5V
V
DR
＆ GT ; 2V
4.5V
t
R
V
DR
MT5C1001
2.1版06/05
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
5
432
4321
4321
1
4321
321
21
321
321
3
CE \\
V
IH
V
IL
432
3216
87
432154321
321154321
87
876
422154321
321154321
4326
3316
87
987654321
4321
321
321
321
987654321
4321
4321
321
987654321
4321
987654321
不在乎
未定义
AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
