在RF
68
Ω
D2
R3
D1
R1
V+
HSMS-2829
V–
R4
D4
C1
R2
D3
罗在
在RF
C2
C1 = C2
≈
100 pF的
R1 = R2 = R3 = R4 = 4.7千欧
D1 D2 & & & D3 D4 = HSMS- 282R
IF OUT
的抑制谐波检测图19.示意图。
HSMS-282R
4.7 KΩ
V+
100 pF的
4.7 KΩ
图22.平面双平衡混频器。
V–
100 pF的
在RF
68
Ω
的抑制谐波检测图20.布局。
图21的审查可能会导致一个问题，就是为什么
在HSMS- 282R环四是在两端开口。失真
化的双平衡混频器的话可以减少LO驱动
增加，达到这种地步的肖特基二极管
被驱动进入饱和。上面这点，增加LO
驱动器将不会导致改善失真。利用
昂贵的高势垒二极管（如制备
在GaAs ）可以采取更高的LO优势驱动电源，
但成本更低的解决方案是使用一个8 （或12 ）二极管
环四。在HSMS- 282R的开放式设计允许这
以很容易地进行，如图23 。
请注意，前述的讨论是指输出电压
年龄在提取在点V +相对于地面。如果
差分输出被取在V +和V-，所述
电路作为一个电压倍增器。
罗在
在RF
混频器应用
该HSMS- 282X系列，以其种类繁多的包装，
可使用的频率，使优良的混频器向上
到6 GHz 。
匹配二极管HSMS- 2827环四（在SOT -143
包）已被设计为双平衡混频器。
较小（ SOT- 363 ） HSMS- 282R环四同样可以
被使用，如果四元与外部连接关闭
在图21中所示。
罗在
HSMS-282R
在RF
HSMS-282R
IF OUT
图23.低失真双平衡混频器。
这个同样的技术可以在单平衡可以使用
混频器。图24示出了这样一个混合器中，用两个二极管中
每个点通常由一个占据。此混频器，用
足够高的LO驱动电平，显示低失真。
在RF
180°
混合动力
罗在
HSMS-282R
低通
滤波器
IF OUT
图24.低失真平衡混频器。
IF OUT
图21.双平衡混频器。
[4]艾伦·里克森和雷蒙德·W·沃， “抑制的谐波功率
检测器的双频“手机”即将出版。
这两种网络都需要一个交叉或三二
mensional电路。一种平面混频器可通过进行
SOT -143分频器四， HSMS- 2829 ，如图
22.在这种产品中，专用引线框架允许横
在被放置在塑料包装本身内，消除
导通孔（或其他措施）的射频在内廷需要
该电路本身的一部分。
8
AVAGO [ AVAGO TECHNOLOGIES LIMITED ]
