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    HSMS-2827 参数 Datasheet PDF下载

    HSMS-2827图片预览
    型号： HSMS-2827
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 表面贴装射频肖特基 [Surface Mount RF Schottky Barrier]
    分类和应用： 微波混频二极管测试射频脉冲光电二极管
    文件页数/大小： 15 页 / 508 K
    品牌： AVAGO [ AVAGO TECHNOLOGIES LIMITED ]
     浏览型号HSMS-2827的Datasheet PDF文件第1页浏览型号HSMS-2827的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HSMS-2827的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HSMS-2827的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HSMS-2827的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HSMS-2827的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HSMS-2827的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HSMS-2827的Datasheet PDF文件第9页  
    典型性能，T
    C
    = 25 ℃（除非另有说明） ，单二极管
    100
    I
    F
    - 正向电流（mA ）
    C
    T
    - 电容（pF ）
    10
    I
    R
    - 反向电流（ NA）
    T
    A
    = +125C
    T
    A
    = +75C
    T
    A
    = +25C
    T
    A
    = –25C
    100,000
    10,000
    1000
    100
    10
    1
    T
    A
    = +125C
    T
    A
    = +75C
    T
    A
    = +25C
    0
    5
    10
    15
    V
    R
    - 反向电压（ V）
    1
    0.8
    0.6
    0.4
    0.2
    0
    1
    0.1
    0.01
    0
    0.10
    0.20
    0.30
    0.40
    0.50
    0
    2
    4
    6
    8
    V
    F
    - 正向电压（ V）
    V
    R
    - 反向电压（ V）
    图1.正向电流与正向电压在
    温度。
    1000
    图2.反向电流和反向电压时
    温度。
    30
    30
    图3.总电容与反向电压。
    100
    1.0
    V
    F
    - 正向电压差（MV ）
    I
    F
    - 正向电流（mA ）
    10
    10
    I
    F
    - 正向电流（ μA ）
    I
    F
    （左轴）
    100
    I
    F
    （左轴）
    10
    10
    1
    V
    F
    （右轴）
    1
    V
    F
    （右轴）
    1
    0.1
    1
    10
    100
    0.3
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1.0
    1.2
    0.3
    1.4
    1
    0.10
    0.15
    0.20
    0.1
    0.25
    I
    F
    - 正向电流（mA ）
    V
    F
    - 正向电压（ V）
    V
    F
    - 正向电压（ V）
    图4.动态电阻与正向
    电流。
    图5.典型的V
    f
    全场比赛，系列双和四边形
    在混频器偏置电平。
    图6.典型的V
    f
    全场比赛，系列的双探测器
    偏置电平。
    1
    直流偏压= 3] A
    0.1
    10
    1
    10
    V
    O
    =输出电压（V）的
    V
    O
    =输出电压（V）的
    -25C
    +25C
    +75C
    0.1
    0.01
    0.001
    0.0001
    1E-005
    -20
    -10
    +25C
    转换损耗（dB ）
    9
    0.01
    在RF
    18 nH的
    3.3 nH的
    HSMS-282B
    100 pF的
    Vo
    在RF
    68
    HSMS-282B
    100 pF的
    Vo
    8
    7
    100 K
    0
    4.7 K
    20
    30
    6
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    12
    0.001
    -40
    -30
    -20
    -10
    0
    10
    P
    in
    - 输入功率（dBm ）
    P
    in
    - 输入功率（dBm ）
    本振功率（dBm ）
    图7.典型输出电压与输入功率，
    小信号检测器工作在850兆赫。
    图8.典型输出电压与输入功率，
    大信号检测器工作在915兆赫。
    图9.典型变频损耗与L.O.驱动器，
    2.0千兆赫（参考AN997 ） 。
    4
    V
    F
    - 正向电压差（MV ）
    R
    D
    - 动态电阻（ ）

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