亚利桑那州晶公司
AZPB70
程序员局AZT70 / 71
用于写入位到EEPROM的一个例子，假设所需要的电容为3.43pF （ AZT70 ） 。控制字
变成' 00000010100 ' （
） 。还假设EEPROM位已被删除，因此逻辑高电平（该
AZT70 / 71最初在这种状态下运送） 。由于在第一个位被加载位0 ，比特序列变为0-0-1-0-
1-0-0-0-0-0-0 。然而，如前所述，选择位用于EEPROM中的活性低，这将反转
序列以1-1-0-1-0-1-1-1-1-1-1在逻辑值（
） 。需要注意的EEPROM位之间的差异
所转换的控制字。因为有2个差异，需要两个写周期为只有1位应写入在一个
时间。
示出了用于第2位，而定时
示为第4位的定时。
注意，所有的刚才描述
操作是通过附带的软件和编程板前面介绍内部执行。
位0
第1位
第2位
第3位
4位
第5位
第6位
第7位
8位
9位
10位
图14 - 所需的控制字
位0
第1位
第2位
第3位
4位
第5位
第6位
第7位
8位
9位
10位
DA
区别
位0
第1位
第2位
区别
第3位
4位
第5位
第6位
第7位
8位
9位
10位
EEPROM
图15 - 转换后的控制字，从已知的EEPROM状态的差异
位0
第1位
第2位
第3位
4位
第5位
第6位
第7位
8位
9位
10位
DA
位0
装1
st
10位
最后加载
CLK
10ms
民
≥5.6V,
≤6.1V
PV
4µs
民
t
图16 - 第一个编程周期编程第2位到EEPROM
+1-480-962-5881
12
2012年5月，版本1.2
AZM [ ARIZONA MICROTEK, INC ]
