BCP060T
高效率的pHEMT功率FET芯片（ .25μm X 600微米）
该BeRex BCP060T是GaAs pHEMT的功率与标称0.25微米栅极长度和600微米的栅极宽度
使得该产品非常适用于需要高增益和中等功率在1000 MHz至26.5
GHz的频率范围内是必需的。该产物可在任一宽带（ 6-18千兆赫）或窄带被用于
应用程序。该BCP060T使用本领域的金属化用的SI的状态产生
3
N
4
钝化和过筛以
确保可靠性。
产品特点
28 dBm的典型输出功率
12分贝典型增益@ 12 GHz的
0.25× 600微米嵌入式门
应用
广告
军事/高可靠性。
测试测量&
电特性（调整为动力）T
a
= 25° C
符号
P
1dB
G
1dB
PAE
NF
I
DSS
G
m
V
p
BV
gd
BV
gs
R
th
参数/测试条件
输出功率@ P
1dB
(V
ds
= 8V ，我
ds
= 50%
I
DSS
)
增益@ P
1dB
(V
ds
= 8V ，IDS = 50 ％I
DSS
)
PAE @ P
1dB
(V
ds
= 8V ，我
ds
= 50% I
DSS
)
50欧姆的噪声系数（V
ds
= 2V ，我
DSS
= 15 mA）的
饱和漏极电流（V
gs
= 0V, V
ds
= 2V)
跨导（V
ds
= 3V, V
gs
= 50% I
DSS
)
夹断电压（I
ds
= 0.6毫安， V
ds
= 2V)
漏极耐压球蛋白（Ig = 0.6毫安，源代码开放）
源极击穿电压球蛋白（Ig = 0.6毫安，开漏）
热电阻（的Au-Sn共晶附在后面）
st
TEST
频率。
12 GHz的
18 GHz的
12 GHz的
18 GHz的
12 GHz的
18 GHz的
12 GHz的
分钟。
27.0
11.0
典型
28.0
28.5
12.0
9.0
55
55
1.34
180
240
马克斯。
单位
DBM
dB
%
dB
120
240
mA
mS
-2.5
-1.1
-15
-13
75
-0.5
-12
V
V
V
° C / W
www.berex.com
BeRex ，公司1735北1街＃ 302圣何塞，加利福尼亚95112电话。 （ 408 ） 452-5595
规格若有变更，恕不另行通知。 © 2011 BeRex
修订版1.2
2011年9月
BEREX [ BEREX CORPORATION ]
