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BCP060T 参数 Datasheet PDF下载

BCP060T图片预览
型号: BCP060T
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内容描述: 高效率的pHEMT功率场效应管芯片 [HIGH EFFICIENCY pHEMT POWER FET CHIP]
分类和应用: 功效
文件页数/大小: 5 页 / 625 K
品牌: BEREX [ BEREX CORPORATION ]
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BCP060T
电特性(调谐增益)T
a
= 25° C
符号
P
1dB
G
1dB
PAE
NF
I
DSS
G
m
V
p
BV
gd
BV
gs
R
th
参数/测试条件
输出功率@ P
1dB
(V
ds
= 8V ,我
ds
= 50%
I
DSS
)
增益@ P
1dB
(V
ds
= 8V ,IDS = 50 %I
DSS
)
PAE @ P
1dB
(V
ds
= 8V ,我
ds
= 50% I
DSS
)
50欧姆的噪声系数(V
ds
= 2V ,我
DSS
= 15 mA)的
饱和漏极电流(V
gs
= 0V, V
ds
= 2V)
跨导(V
ds
= 3V, V
gs
= 50% I
DSS
)
夹断电压(I
ds
= 0.6毫安, V
ds
= 2V)
漏极耐压球蛋白(Ig = 0.6毫安,源代码开放)
源极击穿电压球蛋白(Ig = 0.6毫安,开漏)
热电阻(的Au-Sn共晶附在后面)
- 2.5
TEST
频率。
12 GHz的
18 GHz的
12 GHz的
18 GHz的
12 GHz的
18 GHz的
12 GHz的
120
分钟。
典型
27.5
27.0
12.5
9.5
55
50
1.34
180
240
-1.1
-15
-13
75
- 0.5
-12
240
马克斯。
单位
DBM
dB
%
dB
mA
mS
V
V
V
° C / W
11.0
最大额定值(T
a
= 25° C)
符号
V
ds
V
gs
I
ds
I
GSF
P
in
T
ch
T
英镑
P
t
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
正向栅电流
输入功率
通道温度
储存温度
总功耗
绝对
12 V
-6 V
I
DSS
30毫安
25 dBm的
175° C
-60° C - 150° C
2.6 W
连续
8V
-3 V
I
DSS
10毫安
@ 3分贝压缩
150° C
-60° C - 150° C
2.2 W
超过上述任何最大额定值会导致降低平均无故障时间,并可能导致器件的永久性损坏。
www.berex.com
BeRex ,公司1735北1街# 302圣何塞,加利福尼亚95112电话。 ( 408 ) 452-5595
规格若有变更,恕不另行通知。 © 2011 BeRex
修订版1.2
st
2011年9月