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BS616LV2016EIG55 参数 Datasheet PDF下载

BS616LV2016EIG55图片预览
型号: BS616LV2016EIG55
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内容描述: 超低功耗CMOS SRAM 128K ×16位 [Very Low Power CMOS SRAM 128K X 16 bit]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 242 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BS616LV2016
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= -40
O
C to +85
O
C)
READ CYCLE
JEDEC
PARANETER
PARAMETER
NAME
NAME
DESCRIPTION
Read Cycle Time
Address Access Time
Chip Select Access Time
Data Byte Control Access Time
Output Enable to Output Valid
Chip Select to Output Low Z
Data Byte Control to Output Low Z
Output Enable to Output Low Z
Chip Select to Output High Z
(CE)
(CE)
(LB, UB)
(CE)
(LB, UB)
CYCLE TIME : 55ns
(V
CC
=3.0~5.5V)
MIN.
55
--
--
--
--
10
10
5
--
--
--
10
TYP.
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
MAX.
--
55
55
55
30
--
--
--
30
30
25
--
CYCLE TIME : 70ns
(V
CC
=2.7~5.5V)
MIN.
70
--
--
--
--
10
10
5
--
--
--
10
TYP.
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
MAX.
--
70
70
70
35
--
--
--
35
35
30
--
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
UNITS
t
AVAX
t
AVQX
t
ELQV
t
BLQV
t
GLQV
t
ELQX
t
BLQX
t
GLQX
t
EHQZ
t
BHQZ
t
GHQZ
t
AVQX
t
RC
t
AA
t
ACS
t
BA
t
OE
t
CLZ
t
BE
t
OLZ
t
CHZ
t
BDO
t
OHZ
t
OH
Data Byte Control to Output High Z (LB, UB)
Output Enable to Output High Z
Data Hold from Address Change
SWITCHING WAVEFORMS (READ CYCLE)
READ CYCLE 1
(1,2,4)
t
RC
ADDRESS
t
OH
D
OUT
t
AA
t
OH
R0201-BS616LV2016
5
Revision
1.5
Oct.
2008