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BS62LV1027STCG55 参数 Datasheet PDF下载

BS62LV1027STCG55图片预览
型号: BS62LV1027STCG55
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内容描述: 非常低的功率/电压CMOS SRAM [Very Low Power/Voltage CMOS SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 428 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BSI  
BS62LV1027  
„ AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( TA = -40oC to + 85oC )  
WRITE CYCLE  
JEDEC  
PARAMETER  
NAME  
CYCLE TIME : 70ns  
(Vcc = 2.7~5.5V)  
CYCLE TIME : 55ns  
(Vcc = 3.0~5.5V)  
MIN. TYP. MAX.  
PARAMETER  
NAME  
DESCRIPTION  
Write Cycle Time  
UNIT  
MIN. TYP. MAX.  
tWC  
tCW  
tAS  
tAVAX  
55  
55  
0
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
70  
70  
0
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
tE1LWH  
Chip Select to End of Write  
Address Set up Time  
tAVWL  
tAVWH  
tWLWH  
tWHAX  
--  
--  
tAW  
tWP  
tWR1  
tWR2  
Address Valid to End of Write  
Write Pulse Width  
55  
35  
0
--  
70  
50  
0
--  
--  
--  
Write Recovery Time  
(CE1 , WE)  
(CE2)  
--  
--  
tE2LAX  
tWLOZ  
tDVWH  
tWHDX  
tGHOZ  
Write Recovery Time  
0
--  
0
--  
t WHZ  
t DW  
t DH  
Write to Output in High Z  
Data to Write Time Overlap  
Data Hold from Write Time  
Output Disable to Output in High Z  
End of Write to Output Active  
--  
25  
--  
--  
30  
--  
25  
0
30  
0
--  
--  
t OHZ  
t OW  
--  
25  
--  
--  
30  
--  
tWHQX  
5
5
„ SWITCHING WAVEFORMS (WRITE CYCLE)  
WRITE CYCLE1 (1)  
t
WC  
ADDRESS  
OE  
(3)  
WR1  
t
(11)  
t
CW  
(5)  
CE1  
(5)  
(11)  
CE2  
t
t
CW  
WP  
t
WR2  
t
AW  
(3)  
(2)  
t
AS  
WE  
(4,10)  
t
OHZ  
D OUT  
t
DH  
t
DW  
D IN  
Revision 2.1  
R0201-BS62LV1027  
6
Jan.  
2004