欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

BS62LV1027TC70 参数 Datasheet PDF下载

BS62LV1027TC70图片预览
型号: BS62LV1027TC70
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 超低功耗CMOS SRAM 128K ×8位 [Very Low Power CMOS SRAM 128K X 8 bit]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 386 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号BS62LV1027TC70的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BS62LV1027TC70的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BS62LV1027TC70的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BS62LV1027TC70的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BS62LV1027TC70的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BS62LV1027TC70的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BS62LV1027TC70的Datasheet PDF文件第9页浏览型号BS62LV1027TC70的Datasheet PDF文件第10页  
BS62LV1027
n
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= -40 C to +85 C)
WRITE CYCLE
JEDEC
PARAMETER
NAME
PARAMETER
NAME
CYCLE TIME : 55ns
(V
CC
= 3.0~5.5V)
MIN.
Write Cycle Time
Chip Select to End of Write
Address Set up Time
Address Valid to End of Write
Write Pulse Width
Write Recovery Time
Write Recovery Time
Write to Output in High Z
Data to Write Time Overlap
Data Hold from Write Time
Output Disable to Output in High Z
End of Write to Output Active
(CE1, WE)
(CE2)
55
55
0
55
30
0
0
--
25
0
--
5
TYP.
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
MAX.
--
--
--
--
--
--
--
25
--
--
25
--
CYCLE TIME : 70ns
(V
CC
= 2.7~5.5V)
MIN.
70
70
0
70
35
0
0
--
30
0
--
5
TYP.
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
MAX.
--
--
--
--
--
--
--
30
--
--
30
--
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
O
O
DESCRIPTION
UNITS
t
AVAX
t
E1LWH
t
AVWL
t
AVWH
t
WLWH
t
WHAX
t
E2LAX
t
WLQZ
t
DVWH
t
WHDX
t
GHQZ
t
WHQX
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
WP
t
WR1
t
WR2
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OHZ
t
OW
n
SWITCHING WAVEFORMS (WRITE CYCLE)
WRITE CYCLE 1
(1)
t
WC
ADDRESS
t
WR1
OE
t
CW
CE1
(5)
(11)
(3)
CE2
(5)
t
AW
WE
t
AS
t
OHZ
D
OUT
(4,10)
t
CW
(11)
t
WR2
(2)
(3)
t
WP
t
DH
t
DW
D
IN
R0201-BS62LV1027
6
Revision 2.3
May.
2006