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    BS62LV1600ECP70 参数 Datasheet PDF下载

    BS62LV1600ECP70图片预览
    型号： BS62LV1600ECP70
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 超低功耗CMOS SRAM 2M ×8位 [Very Low Power CMOS SRAM 2M X 8 bit]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 10 页 / 207 K
    品牌： BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BS62LV1600ECP70的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BS62LV1600ECP70的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BS62LV1600ECP70的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BS62LV1600ECP70的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BS62LV1600ECP70的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BS62LV1600ECP70的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BS62LV1600ECP70的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BS62LV1600ECP70的Datasheet PDF文件第9页  
    BS62LV1600
    n
    Revision History
    Revision No.
    2.2
    History
    Add Icc1 characteristic parameter
    Improve Iccsb1 spec.
    I-grade from 220uA to 100uA at 5.0V
    20uA to 16uA at 3.0V
    C-grade from 110uA to 50uA at 5.0V
    10uA to 8.0uA at 3.0V
    Change I-grade operation temperature range
    - from
    –25
    O
    C to
    –40
    O
    C
    Draft Date
    Jan. 13, 2006
    Remark
    2.3
    May. 25, 2006
    R0201-BS62LV1600
    10
    Revision 2.3
    May.
    2006

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