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BS62LV2008DC-70 参数 Datasheet PDF下载

BS62LV2008DC-70图片预览
型号: BS62LV2008DC-70
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内容描述: 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×8位 [Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 9 页 / 319 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BSI
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
( TA = -40
o
C to + 85
o
C )
WRITE CYCLE
JEDEC
PARAMETER
NAME
PARAMETER
NAME
DESCRIPTION
Write Cycle Time
Chip Select to End of Write
Address Setup Time
Address Valid to End of Write
Write Pulse Width
Write recovery Time
Write recovery Time
Write to Output in High Z
Data to Write Time Overlap
Data Hold from Write Time
Output Disable to Output in High Z
End of Write to Output Active
CYCLE TIME : 55ns
(Vcc = 4.5~5.5V)
BS62LV2008
CYCLE TIME : 70ns
(Vcc = 4.5~5.5V)
MIN. TYP. MAX.
MIN. TYP. MAX.
UNIT
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
AVAX
t
E1LWH
t
AVWL
t
AVWH
t
WLWH
t
WHAX
t
E2LAX
t
WLQZ
t
DVWH
t
WHDX
t
GHQZ
t
WHOX
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
WP
t
WR1
t
WR2
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OHZ
t
OW
55
55
0
55
30
(CE1,WE)
(CE2)
0
0
--
25
0
--
5
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
25
--
--
25
--
70
70
0
70
35
0
0
--
30
0
--
5
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
30
--
--
30
--
SWITCHING WAVEFORMS (WRITE CYCLE)
WRITE CYCLE1
(1)
ADDRESS
t
WC
t
OE
(3)
WR1
t
CW
CE1
(5)
(11)
CE2
(5)
t
CW
t
AW
(11)
t
WR2
(2)
(3)
WE
t
AS
(4,10)
t
WP
t
OHZ
D
OUT
t
DH
t
DW
D
IN
R0201-BS62LV2008
6
Revision 1.1
Jan.
2004