BSI
AC电气特性
（ TA = -40〜+ 85
o
C )
写周期
（ 48B BGA忽略CE2条件）
JEDEC
参数
名字
参数
名字
描述
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
日期字节控制来写结束
写在高Z输出
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
输出禁止到输出中高Z
写结束到输出有效
（ VCC = 2.7 〜 3.6V ）
BS616LV2019
周期时间： 55ns
分钟。典型值。马克斯。
周期：为70ns
（ VCC = 2.7 〜 3.6V ）
分钟。典型值。马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
AVAX
t
E1LWH
t
AVWL
t
AVWH
t
WLWH
t
WHAX
t
BW
t
WLQZ
t
DVWH
t
WHDX
t
GHQZ
t
WHOX
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
WP
t
WR
t
BW
(1)
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OHZ
t
OW
55
(CE,CE2)
55
0
55
30
(CE,CE2,WE)
（ LB ， UB ）
0
25
--
25
0
--
5
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
25
--
--
25
--
70
70
0
70
35
0
30
--
30
0
--
5
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
30
--
--
30
--
注意：
1. t
BW
为25ns / 30ns的（ @速度= 55ns / 70ns的）与地址切换。 ;吨
BW
为55ns / 70ns的（ @速度= 55ns / 70ns的）没有地址切换。
开关波形（写周期）
写CYCLE1
(1)
地址
t
WC
t
WR
OE
(3)
CE2
(5,12)
t
CW
CE
(5)
(11)
t
LB ， UB
(5)
BW
t
AW
WE
(3)
t
AS
(4,10)
t
WP
(2)
t
OHZ
D
OUT
t
DH
t
DW
D
IN
R0201-BS616LV2019
修订版1.2
五月
2004
6
BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
