BSI
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
V
cc
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
与端电压
对于GND
电源
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
BS616LV2019
工作范围
单位
V
V
O
等级
-0.5到
Vcc+0.5
-0.5到
Vcc+0.5
-40至+85
-60到+150
1.0
20
范围
广告
产业
环境
温度
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
VCC
2.7V ~ 3.6V
2.7V ~ 3.6V
C
C
O
W
mA
电容
(1)
（ TA = 25
o
C，F = 1.0兆赫）
符号
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个
值仅为该器件在功能操作
或高于任何其他条件，在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
C
IN
C
DQ
参数
输入
电容
输入/输出
电容
条件
马克斯。
单位
V
IN
=0V
V
I / O
=0V
6
8
pF
pF
1.此参数是保证，而不是100 ％测试。
DC电气特性
（ TA = -40〜+ 85
o
C )
参数
名字
V
IL
V
IH
I
IL
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
(6)
参数
保证输入低
(2)
电压
保证输入高
(2)
电压
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
工作电源
当前
待机电流-TTL
测试条件
VCC = 3.0V
VCC = 3.0V
VCC =最大，V
IN
= 0V至VCC
VCC =最大， CE = V
IH
或CE2
V
I / O
= 0V至VCC
VCC =最大，我
OL
= 2.0毫安
VCC =最小，我
OH
= -1.0mA
CE = V
IL
， CE2 = V
IH
I
DQ
= 0毫安， F =最大频率
(3)
CE = V
IH
或CE2 = V
IL
I
DQ
= 0毫安
CE ≧ VCC- 0.2V或CE2
(4)
≦0.2V,
V
IN
≧Vcc-0.2V
或V
IN
≦0.2V
(4)
(4)
(4)
分钟。
-0.3
2.0
--
典型值。
(1)
马克斯。
--
--
--
--
--
--
--
0.8
V
cc
+0.3
1
1
0.4
--
16
25
0.5
单位
V
V
uA
uA
V
V
mA
= V
IL
或OE = V
IH
,
VCC = 3.0V
VCC = 3.0V
3.0 V
70ns
55ns
--
--
2.4
--
I
CCSB
I
CCSB1
(5)
VCC = 3.0V
--
--
mA
待机电流CMOS
VCC = 3.0V
--
0.3
5.0
uA
1.
典型的特征是在T
A
= 25
o
C.
2.
这些是相对于设备接地的绝对值，并且由于系统或测试人员通知中包括的所有过冲。
4.
48B BGA忽略CE2条件。
5.I
cc
s
B1_Max.
为3.0uA在Vcc = 3.0V和T
A
=70
o
C.
3.
的fmax = 1 /吨
RC
.
o
C.
6.
ICC
=最大。
是23毫安（ @ 55ns ） / 15毫安（ @为70ns ）在Vcc = 3.0V / 0 〜 70
数据保持特性
（ TA = -40〜+ 85
o
C )
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
(4)
参数
VCC为数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
测试条件
CE
≧
VCC - 0.2V或CE2
≦
0.2V
(3)
,
V
IN
≧
VCC - 0.2V或V
IN
≦
0.2V
CE
≧
VCC - 0.2V或CE2
≦
0.2V
(3)
,
V
IN
≧
VCC - 0.2V或V
IN
≦
0.2V
见保留波形
分钟。
1.5
--
0
T
RC （2）
典型值。
(1)
--
0.1
--
--
马克斯。
--
1.0
--
--
单位
V
uA
ns
ns
1.
VCC = 1.5V ，T
A
= + 25
O
C
3.
48B BGA忽略CE2条件。
R0201-BS616LV2019
2.
t
RC
=读周期时间
4.
ICC
DR
为0.7uA在T
A
=70
o
C.
3
修订版1.2
五月
2004
BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
