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    BS616LV4016DI-55 参数 Datasheet PDF下载

    BS616LV4016DI-55图片预览
    型号： BS616LV4016DI-55
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位 [Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 10 页 / 266 K
    品牌： BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BS616LV4016DI-55的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BS616LV4016DI-55的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BS616LV4016DI-55的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BS616LV4016DI-55的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BS616LV4016DI-55的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BS616LV4016DI-55的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BS616LV4016DI-55的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BS616LV4016DI-55的Datasheet PDF文件第9页  
    BSI
    引脚说明
    BS616LV4016
    名字
    A0 - A17地址输入
    CE芯片使能输入
    功能
    这18个地址输入选择在RAM中的262,144个16位字中的一个。
    CE为低电平有效。芯片使必须被激活时，数据从读或写
    装置。如果芯片使能未激活，取消选择器件，是一个备用电源
    模式。 DQ管脚将处于高阻抗状态，当设备被取消。
    我们写使能输入
    写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
    芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
    DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
    选择的存储位置。
    OE输出使能输入
    输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
    选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
    将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态时， OE是不活动的。
    LB和UB数据字节控制输入
    DQ0 - DQ15数据输入/输出
    端口
    VCC
    GND
    低字节和高字节数据的输入/输出控制管脚。
    这16个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
    电源
    地
    真值表
    模式
    未选择
    （断电）
    输出禁用
    CE
    H
    X
    L
    L
    L
    WE
    X
    X
    X
    H
    H
    OE
    X
    X
    X
    H
    L
    LB
    X
    H
    H
    X
    L
    读
    H
    L
    L
    写
    L
    L
    X
    H
    L
    UB
    X
    H
    H
    X
    L
    L
    H
    L
    L
    H
    D0~D7
    高Z
    高Z
    高Z
    高Z
    DOUT
    高Z
    DOUT
    DIN
    X
    DIN
    D8~D15
    高Z
    高Z
    高Z
    高Z
    DOUT
    DOUT
    高Z
    DIN
    DIN
    X
    VCC电流
    I
    CCSB
    , I
    CCSB1
    I
    CCSB
    , I
    CCSB1
    I
    CC
    I
    CC
    I
    CC
    I
    CC
    I
    CC
    I
    CC
    I
    CC
    I
    CC
    R0201-BS616LV4016
    2
    修订版1.1
    一月
    2004

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