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BS616LV4016DI-55 参数 Datasheet PDF下载

BS616LV4016DI-55图片预览
型号: BS616LV4016DI-55
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内容描述: 非常低的功率/电压CMOS SRAM 256K ×16位 [Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 266 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BSI
数据保持特性
( TA = -40〜+ 85
o
C )
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
(3)
BS616LV4016
测试条件
CE
VCC - 0.2V
V
IN
VCC - 0.2V或V
IN
0.2V
CE
VCC - 0.2V
V
IN
VCC - 0.2V或V
IN
0.2V
见保留波形
参数
VCC为数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
MIN 。 TYP 。
1.5
--
0
T
RC (2)
--
(1)
马克斯。
--
1.7
--
--
单位
V
uA
ns
ns
0.15
--
--
1. VCC =
1.5V,
T
A
= + 25
O
C
2. t
RC
=读周期时间
3. I
cc
DR
(最大值)为1.2uA在T
A
=70
O
C.
低V
CC
数据保存波形
( CE控制)
数据保持方式
VCC
V
IH
VCC
V
DR
1.5V
VCC
t
CDR
CE
VCC - 0.2V
t
R
V
IH
CE
R0201-BS616LV4016
4
修订版1.1
一月
2004