欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

BS62LV1029SCP70 参数 Datasheet PDF下载

BS62LV1029SCP70图片预览
型号: BS62LV1029SCP70
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×8位 [Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 8 bit]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 425 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号BS62LV1029SCP70的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BS62LV1029SCP70的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BS62LV1029SCP70的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BS62LV1029SCP70的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BS62LV1029SCP70的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BS62LV1029SCP70的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BS62LV1029SCP70的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BS62LV1029SCP70的Datasheet PDF文件第9页  
BSI
AC测试条件
(测试负载和输入/输出参考)
BS62LV1029
关键开关波形
VCC / 0V
1V/ns
0.5Vcc
C
L
= 30pF的+ 1TTL
C
L
= 100pF电容+ 1TTL
波形
输入
必须是
稳定
可能改变
从H到L
可能改变
以L至H
不会在意:
任何改变
许可
申请
输出
必须是
稳定
变化
从H到L
变化
以L至H
变化:
状态
未知
中心
线为高
阻抗
“关”状态
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出
时序参考电平
输出负载
,
AC电气特性
( TA = -40
o
C至+ 85
o
C )
读周期
JEDEC
参数
名字
参数
名字
描述
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出低Z
片选到输出低Z
输出使能到输出中低Z
芯片取消在高Z输出
芯片取消在高Z输出
输出禁止到输出中高Z
从地址变化数据保持
(CE1)
(CE2)
(CE1)
(CE2)
(CE1)
(CE2)
周期时间: 55ns
( VCC = 4.5 〜 5.5V )
分钟。典型值。马克斯。
周期:为70ns
( VCC = 4.5 〜 5.5V )
分钟。典型值。马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
AVAX
t
AVQV
t
E1LQV
t
E2HOV
t
GLQV
t
E1LQX
t
E2HOX
t
GLQX
t
E1HQZ
t
E2HQZ
t
GHQZ
t
AXOX
t
RC
t
AA
t
ACS1
t
ACS2
t
OE
t
CLZ1
t
CLZ2
t
OLZ
t
CHZ1
t
CHZ2
t
OHZ
t
OH
55
--
--
--
--
10
10
10
--
--
--
10
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
55
55
55
30
--
--
--
35
35
30
--
70
--
--
--
--
10
10
10
--
--
--
10
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
70
70
70
40
--
--
--
40
40
35
--
R0201-BS62LV1029
4
修订版1.1
一月
2004