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    BS62LV256SCG55 参数 Datasheet PDF下载

    BS62LV256SCG55图片预览
    型号： BS62LV256SCG55
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 超低功耗CMOS SRAM 32K ×8位 [Very Low Power CMOS SRAM 32K X 8 bit]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 10 页 / 242 K
    品牌： BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BS62LV256SCG55的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BS62LV256SCG55的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BS62LV256SCG55的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BS62LV256SCG55的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BS62LV256SCG55的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BS62LV256SCG55的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BS62LV256SCG55的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BS62LV256SCG55的Datasheet PDF文件第9页  
    BS62LV256
    n
    AC测试条件
    （测试负载和输入/输出参考）
    波形
    输入
    必须是
    稳定
    可能改变
    从
    “H”
    TO
    “L”
    可能改变
    从
    “L”
    TO
    “H”
    不在乎
    任何改变
    许可
    不
    申请
    输出
    必须是
    稳定
    将改变
    从
    “H”
    TO
    “L”
    将改变
    从
    “L”
    TO
    “H”
    变化：
    州UNKNOW
    中心线
    高Inpedance
    “关”的
    状态
    n
    关键开关波形
    输入脉冲电平
    输入上升和下降时间
    输入和输出时序
    参考电平
    t
    CLZ
    , t
    OLZ
    , t
    CHZ
    , t
    OHZ
    , t
    WHZ
    输出负载
    OTHERS
    VCC / 0V
    1V/ns
    0.5Vcc
    C
    L
    = 5pF的+ 1TTL
    C
    L
    =
    100pF+1TTL
    所有的输入脉冲
    1 TTL
    产量
    C
    L(1)
    V
    CC
    GND
    10%
    90%
    90%
    10%
    → ←
    上升时间：
    1V/ns
    → ←
    下降时间
    1V/ns
    1.包括夹具和范围电容。
    n
    AC电气特性（T
    A
    = -40°C至+ 85°C ）
    读周期
    JEDEC
    参数
    名字
    PARANETER
    名字
    周期时间： 55ns
    (V
    CC
    = 4.5~5.5V)
    分钟。典型值。马克斯。
    55
    --
    --
    --
    10
    10
    --
    --
    10
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    55
    55
    25
    --
    --
    30
    25
    --
    周期：为70ns
    (V
    CC
    = 3.0~5.5V)
    分钟。典型值。马克斯。
    70
    --
    --
    --
    10
    10
    --
    --
    10
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    70
    70
    35
    --
    --
    35
    30
    --
    O
    O
    描述
    单位
    t
    AVAX
    t
    AVQX
    t
    E1LQV
    t
    GLQV
    t
    E1LQX
    t
    GLQX
    t
    E1HQZ
    t
    GHQZ
    t
    AVQX
    t
    RC
    t
    AA
    t
    ACS
    t
    OE
    t
    CLZ
    t
    OLZ
    t
    CHZ
    t
    OHZ
    t
    OH
    读周期时间
    地址访问时间
    芯片选择访问时间
    输出使能到输出有效
    片选到输出低Z
    输出使能到输出低Z
    芯片选择到输出高Z
    输出使能到输出高Z
    从地址变化数据保持
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    R0201-BS62LV256
    4
    修订版2.6
    九月
    2006

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