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    BS62LV4007SI-70 参数 Datasheet PDF下载

    BS62LV4007SI-70图片预览
    型号： BS62LV4007SI-70
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×8位 [Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 8 bit]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 10 页 / 374 K
    品牌： BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BS62LV4007SI-70的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BS62LV4007SI-70的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BS62LV4007SI-70的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BS62LV4007SI-70的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BS62LV4007SI-70的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BS62LV4007SI-70的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BS62LV4007SI-70的Datasheet PDF文件第9页浏览型号BS62LV4007SI-70的Datasheet PDF文件第10页  
    BSI
    WRITE循环2
    (1,6)
    BS62LV4007
    t
    WC
    地址
    (11)
    (5)
    t
    t
    AW
    CW
    CE
    t
    WP
    (2)
    WE
    t
    AS
    (4,10)
    t
    WHZ
    D
    OUT
    t
    t
    DW
    OW
    (7)
    (8)
    t
    DH
    D
    IN
    (8,9)
    注意事项：
    1.我们必须在地址转换高。
    2.存储器的内部写入时间由CE的重叠定义和WE低。所有信号
    必须主动发起写的任何一个信号可以通过将非活动结束写入。
    的数据输入的设置和保持时间应参考的第二过渡边缘
    因此终止了写入的信号。
    3. T
    WR
    从CE的早期测定或WE变高，在写周期的结束。
    4.在这期间， DQ引脚处于输出状态，使反相器的输入信号
    到输出必须不被应用。
    5.如果同时出现在我们的负跳变或WE之后， CE低过渡
    过渡，输出保持在高阻抗状态。
    6. OE连续低（ OE = V
    IL
    ).
    7. D
    OUT
    是这个写周期写入数据的相位相同。
    8. D
    OUT
    是下一个地址的读数据。
    9.如果CE为低，在此期间， DQ引脚的输出状态。的，则数据输入信号
    相位相反的输出不能被应用于它们。
    10.参数是保证，但不是100 ％测试。
    11. T
    CW
    从CE后期会低到写结束时开始算起。
    R0201-BS62LV4007
    7
    修订版1.1
    一月
    2004

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