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    BS62LV4007SI-70 参数 Datasheet PDF下载

    BS62LV4007SI-70图片预览
    型号： BS62LV4007SI-70
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×8位 [Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 8 bit]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 10 页 / 374 K
    品牌： BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BS62LV4007SI-70的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BS62LV4007SI-70的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BS62LV4007SI-70的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BS62LV4007SI-70的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BS62LV4007SI-70的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BS62LV4007SI-70的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BS62LV4007SI-70的Datasheet PDF文件第9页浏览型号BS62LV4007SI-70的Datasheet PDF文件第10页  
    BSI
    订购信息
    BS62LV4007
    Z
    YY
    速度
    55 ： 55ns
    70 ：为70ns
    PKG材料
    - ：正常
    G：绿
    P：无铅
    GRADE
    C: +0
    o
    C ~ +70
    o
    C
    I: -40
    o
    C ~ +85
    o
    C
    包
    S： SOP
    E： TSOP 2
    ST ：小TSOP
    T： TSOP
    P： PDIP
    BS62LV4007
    X X
    注意：
    BSI （百联半导体公司）承担对本文所述的任何产品或电路的应用或使用不承担任何责任。 BSI并未授权其产品
    对于使用的关键部件在其中BSI产品的故障可预期会导致显著的伤害或死亡，其中包括生命支持的应用程序
    系统和关键医疗器械。
    包装尺寸
    与电镀
    b
    c c1
    贱金属
    b1
    截面A-A
    SOP -32
    R0201-BS62LV4007
    8
    修订版1.1
    一月
    2004

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