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BS62LV4006SIP55 参数 Datasheet PDF下载

BS62LV4006SIP55图片预览
型号: BS62LV4006SIP55
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内容描述: 超低功耗CMOS SRAM 512K ×8位 [Very Low Power CMOS SRAM 512K X 8 bit]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 12 页 / 398 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BS62LV4006
包装尺寸(续)
(MM)
分钟。
A
的T x
32
17
(英寸)
马克斯。
1.20
喃。
分钟。
喃。
马克斯。
0.047
E1
-X-
E
A1
A2
b
b1
c
c1
D
E
0.05
0.95
0.30
0.30
0.12
0.10
20.82
11.56
10.03
0.40
0.10
1.00
0.40
0.127
20.95
11.76
10.16
1.27 BASIC
0.50
0.25 BASIC
0.8 REF
0.15
1.05
0.52
0.45
0.21
0.16
21.08
11.96
10.29
0.60
0.002
0.037
0.012
0.012
0.005
0.004
0.820
0.455
0.394
0.016
0.004
0.039
0.016
0.005
0.825
0.463
0.400
0.050 BASIC
0.020
0.010 BASIC
0.031 REF
0.006
0.042
0.020
0.018
0.008
0.006
0.830
0.471
0.405
0.024
1
Y Y
e
b
16
0.20
英寸× & QUOT ;
E1
e
L
L1
D
ZD
A2
A
L2
R
R1
ZD
Y
0.12
0.12
0.25
0.95 REF
0.10
0.005
0.005
0.037 REF
0.010
Y
-T-
飞机座位
0.44 REF
A1
0.004
RAD ř
L1
计飞机
b
b1
L
L2
RAD R1
与电镀
贱金属
注意:
1.控制尺寸:毫米。
2. REFREENCE稿: JEDEC MS- 024
3.尺寸D不包括塑模的突起。
模具突出应该不超过0.15 ( 0.006" )每边。
尺寸E1不包括引脚间的突起。
引脚间PROTRUSION不大于0.25 ( 0.01" )每边。
4.尺寸b不包括密封条突起/入侵。
允许的dambar突出不得造成导致
宽于最大B尺寸超过0.13毫米
密封条入侵不得造成导致窄
比MIN B尺寸超过0.07毫米。
c
详细"X"
0.44 REF
0°~8°
第Y-Y
TSOP II - 32
c1
c
R0201-BS62LV4006
11
调整
1.5
十月
2008