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BS62LV4006SIP55 参数 Datasheet PDF下载

BS62LV4006SIP55图片预览
型号: BS62LV4006SIP55
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内容描述: 超低功耗CMOS SRAM 512K ×8位 [Very Low Power CMOS SRAM 512K X 8 bit]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 12 页 / 398 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BS62LV4006
AC测试条件
(测试负载和输入/输出参考)
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
参考电平
输出负载
t
CLZ
, t
OLZ
, t
CHZ
, t
OHZ
, t
WHZ
OTHERS
VCC / 0V
1V/ns
0.5Vcc
C
L
= 5pF的+ 1TTL
C
L
= 30pF的+ 1TTL
所有的输入脉冲
1 TTL
产量
C
(1)
L
关键开关波形
波形
输入
必须是
稳定
可能改变
从“H”变为“L”
可能改变
从“ L”变为“ H”时
不在乎
任何改变
许可
申请
输出
必须是
稳定
将改变
从“H”变为“L”
将改变
从“ L”变为“ H”时
变化:
州UNKNOW
中心线
高Inpedance
“关”状态
V
CC
GND
10%
90%
90%
10%
→ ←
上升时间:
1V/ns
→ ←
下降时间
1V/ns
1.包括夹具和范围电容。
AC电气特性(T
A
= -40
O
C至+ 85
O
C)
读周期
JEDEC
PARANETER
参数
名字
名字
描述
周期时间: 55ns
(V
CC
= 3.0~5.5V)
分钟。
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出低Z
输出使能到输出低Z
芯片选择到输出高Z
输出使能到输出高Z
从地址变化数据保持
55
--
--
--
10
5
--
--
10
典型值。
--
--
--
--
--
--
--
--
--
马克斯。
--
55
55
30
--
--
30
25
--
周期:为70ns
(V
CC
= 2.7~5.5V)
分钟。
70
--
--
--
10
5
--
--
10
典型值。
--
--
--
--
--
--
--
--
--
马克斯。
--
70
70
35
--
--
35
30
--
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
t
AVAX
t
AVQX
t
E1LQV
t
GLQV
t
E1LQX
t
GLQX
t
E1HQZ
t
GHQZ
t
AVQX
t
RC
t
AA
t
ACS
t
OE
t
CLZ
t
OLZ
t
CHZ
t
OHZ
t
OH
R0201-BS62LV4006
4
调整
1.5
十月
2008