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    BS62LV4006SIP55 参数 Datasheet PDF下载

    BS62LV4006SIP55图片预览
    型号： BS62LV4006SIP55
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 超低功耗CMOS SRAM 512K ×8位 [Very Low Power CMOS SRAM 512K X 8 bit]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 12 页 / 398 K
    品牌： BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BS62LV4006SIP55的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BS62LV4006SIP55的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BS62LV4006SIP55的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BS62LV4006SIP55的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BS62LV4006SIP55的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BS62LV4006SIP55的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BS62LV4006SIP55的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BS62LV4006SIP55的Datasheet PDF文件第9页  
    BS62LV4006
    DC电气特性（T
    A
    = -40
    O
    C至+ 85
    O
    C)
    参数
    名字
    V
    CC
    V
    IL
    V
    IH
    I
    IL
    I
    LO
    V
    OL
    V
    OH
    I
    CC
    (5)
    I
    CC1
    I
    CCSB
    I
    CCSB1
    (6)
    参数
    电源
    输入低电压
    输入高电压
    输入漏电流
    输出漏电流
    输出低电压
    输出高电压
    工作电源
    当前
    工作电源
    当前
    待机电流 - TTL
    待机电流 - CMOS
    O
    测试条件
    分钟。
    2.4
    -0.5
    (2)
    典型值。
    (1)
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    0.25
    1.5
    马克斯。
    5.5
    0.8
    V
    CC
    +0.3
    1
    1
    0.4
    --
    30
    70
    2
    10
    0.5
    1.0
    4.0
    20
    (3)
    单位
    V
    V
    V
    UA
    UA
    V
    V
    mA
    mA
    mA
    uA
    2.2
    V
    CC
    =最大，V
    IN
    = 0V至V
    CC
    V
    CC
    =最大，CE = V
    IH
    或OE = V
    IH
    ,
    V
    I / O
    = 0V至V
    CC
    V
    CC
    =最大，我
    OL
    = 2.0毫安
    V
    CC
    =最小，我
    OH
    = -1.0mA
    CE = V
    IL
    ,
    (4)
    I
    DQ
    = 0毫安中，f = F
    最大
    CE = V
    IL
    ,
    I
    DQ
    = 0毫安， F = 1MHz的
    CE = V
    IH
    ,
    I
    DQ
    = 0毫安
    CE = V
    CC
    -0.2V,
    V
    IN
    ≧V
    CC
    -0.2V或V
    IN
    ≦0.2V
    V
    CC
    =3.0V
    V
    CC
    =5.0V
    V
    CC
    =3.0V
    V
    CC
    =5.0V
    V
    CC
    =3.0V
    V
    CC
    =5.0V
    V
    CC
    =3.0V
    V
    CC
    =5.0V
    --
    --
    --
    2.4
    --
    --
    --
    --
    1.典型的特点是在T
    A
    = 25℃ ，而不是100 ％测试。
    2.冲： -1.0V的情况下，脉冲宽度小于20纳秒。
    3.过冲： V
    CC
    + 1.0V的情况下，脉冲的宽度小于20纳秒。
    4. F
    最大
    =1/t
    RC 。
    O
    5. I
    CC （ MAX 。 ）
    是29毫安/ 68毫安在V
    CC
    = 3.0V / 5.0V和T
    A
    =70 C.
    O
    6. I
    CCSB1(MAX.)
    为2.0uA /为10uA在V
    CC
    = 3.0V / 5.0V和T
    A
    =70 C.
    数据保持特性（T
    A
    = -40
    O
    C至+ 85
    O
    C)
    符号
    V
    DR
    I
    CCDR
    (3)
    t
    CDR
    t
    R
    参数
    V
    CC
    数据保留
    数据保持电流
    芯片取消到数据
    保留时间
    手术恢复时间
    O
    测试条件
    CE = V
    CC
    -0.2V,
    V
    IN
    ≧V
    CC
    -0.2V或V
    IN
    ≦0.2V
    CE = V
    CC
    -0.2V,
    V
    IN
    ≧V
    CC
    -0.2V或V
    IN
    ≦0.2V
    分钟。
    1.5
    --
    0
    典型值。
    (1)
    --
    0.1
    --
    马克斯。
    --
    1.5
    --
    --
    单位
    V
    uA
    ns
    ns
    见保留波形
    t
    RC
    (2)
    --
    1. V
    CC
    = 1.5V ，T
    A
    = 25℃ ，而不是100 ％测试。
    2. t
    RC
    =读周期时间。
    O
    3. I
    CCRD （最大）
    为1.0uA在T
    A
    =70 C.
    低V
    CC
    数据保存波形图（ 1 ） （ CE控制）
    数据保持方式
    V
    CC
    V
    CC
    V
    DR
    ≧1.5V
    V
    CC
    t
    CDR
    V
    IH
    CE = V
    CC
    - 0.2V
    t
    R
    V
    IH
    CE
    R0201-BS62LV4006
    3
    调整
    1.5
    十月
    2008

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