CSPEMI200A
特定网络阳离子
绝对最大额定值
参数
存储温度范围
每个电阻的直流电源
DC封装额定功率
等级
-65到+150
100
400
单位
°C
mW
mW
标准工作条件
参数
工作温度范围
等级
-40至+85
单位
°C
电气运行特性
（注1 ）
符号
R
1
R
2
R
3
C
1
C
2
I
泄漏
V
SIG
参数
电阻1
阻力位2
抵抗3
电容1
电容2
二极管的泄漏电流
信号电压
积极钳
负钳
在系统ESD耐压
一）人体模型， MIL -STD- 883 ，
方法3015
B）每IEC 61000-4-2接触放电
4级
在ESD放电钳位电压
MIL -STD- 883 （方法3015 ） ， 8kV的
积极瞬变
负瞬态
截止频率1 ;注6
截止频率2 ;注6
截止频率3 ;注6
V
IN
=5.0V
I
负载
= 10毫安
5
-5
±15
±8
注2,3,4和5
+15
-19
R = 100Ω ，C = 47pF的
R = 68Ω ，C = 47pF的
R = 10Ω ，C = 100pF的
53
61
33
V
V
兆赫
兆赫
兆赫
7
-10
条件
民
90
61
9
38
80
典型值
100
68
10
47
100
最大
110
75
11
57
120
1.0
15
-15
单位
Ω
Ω
Ω
pF
pF
μA
V
V
kV
kV
V
ESD
注释2,4和5
V
CL
f
C1
f
C2
f
C3
注1：T
A
=25
°
C除非另有规定ED 。
注2 ：静电放电施加到输入引脚相对于GND ，一次一个地，引脚A2 ，A3，A4 ，B1和B2只。
注3 ：钳位电压的测量是在所述EMI滤波器的静电销的相对侧。例如，如果静电被施加到针脚B1，
那么钳位电压的测量是在引脚C1 。
注4 ：未使用的引脚悬空
注5：参数是通过设计和特性保证。
注6位：Z
来源
=50Ω, Z
负载
=50Ω.
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