CAT28F001
写操作
下面的操作是通过观察发起
序列中的写命令表规定。
读阵列
该设备可以被放入一个读阵列模式由
启动所述数据总线上的写周期与FFH。该
设备也是经过了一个标准的读阵列模式
最初的设备上电和正值当了深
掉电模式。
签名模式
对于读取装置的签名的另一种方法（见
读操作签名模式） ，通过写入启动
代码90H到命令寄存器。读周期
从地址0000H与
CE
和
OE
低（和
WE
HIGH ）
将输出设备签名。
催化剂码=催化剂码= 0011 0001 （ 31H ）
一个读周期，从地址0001H检索
二进制代码在设备上输出I / O
7
到I / O
0
:
CAT28F001T = 1001 0100 （ 94H ）
CAT28F001B = 1001 0101 （ 95H ）
以终止该操作，有必要写
另一种有效的命令到寄存器。
状态寄存器
该28F001包含一个8位的状态寄存器。该
状态寄存器进行轮询来检查写或擦除
完成或任何相关的错误。状态寄存器
可以通过发出一个读状态来随时读取
寄存器（ 70H ）命令。所有后续的读操作
从状态寄存器系统蒸发散输出数据，直到另一个
有效命令发出。状态的内容
寄存器锁存的下降沿
OE
or
CE
,
以先到为准最后在读周期。
OE
or
CE
必须
之前还可以切换到VIH读取更新
状态寄存器锁存器。
擦除状态（ SR.5 ）和程序状态（ SR.4 ）是
设置为1，由WSM和只能被复位发出清除
状态寄存器（ 50H ），这两个位可以用于查询
失效，从而允许更多的灵活性，设计者
使用CAT28F001时。此外， VPP状态（ SR.3 ）
当设置为1时，必须由系统软件之前被重置
任何进一步的字节的程序或块擦除是尝试。
清除设置/擦除CONFIRM
擦除执行一个块的时间，由两个启动
循环指令序列。这两个指令周期
序列提供防止意外增加安全性
块擦除。在第一个写周期中，命令
20H （清除设置）首先写入命令
注册，然后在命令D0H （擦除CON-
公司） 。这些命令同时需要适当的COM
命令数据，并在块的地址被删除。
此外，块擦除只能出现在VPP = VPPH 。
阻止预处理，擦除和验证都处理
内部的写状态机，不可见的
系统。接到两个命令擦除SE-后
quence的CAT28F001自动输出状态
当读取（图5 ）注册数据。 CPU可以检测
在完成擦除事件由若检查
的状态寄存器SR.7设置。
SR.5将指示擦除是否成功。如果
检测到擦除错误，状态寄存器应
清除。该设备将在状态寄存器读
模式，直到另一个命令发出。
擦除暂停/删除恢复
擦除挂起命令允许擦除序列
中断，以便从另一个块中读取数据
内存。一旦擦除序列开始，写
擦除挂起命令（ B0H ）到命令
注册的WSM暂停擦除请求
序列中的预定点的擦除algo-
rithm 。该CAT28F001继续输出稳压状态
存器读取数据时，后擦除挂起命令
被写入其中。轮询WSM状态和擦除
暂停状态位将决定何时擦除
操作已被中止（两者都将被置为“1” ） 。
该装置现在可以给出一个读阵列COM的
命令，它允许任何地点“不是块内
被擦除“被读取。此外，您可以执行
读状态寄存器或恢复擦除操作
通过发送擦除恢复（ D0H ），在该时刻的
WSM将继续与擦除序列。擦除
暂停状态的现状与WSM状态位
注册将被清除。
程序设置/程序命令
编程是通过一个双写顺序执行。该
程序设置命令（ 40H ）写入的COM
命令寄存器，接着是第二写入指定
地址和数据（锁存的上升沿
WE）
进行编程。在WSM然后接管，控制 -
林志玲程序和内部验证算法。后
两命令程序序列写入到它的
CAT28F001自动输出状态寄存器的数据
当读出时（参见图4 ;字节编程流程图） 。该
CPU可以检测在完成节目事件的由
分析状态寄存器的WSM状态位。
只有读状态寄存器命令是有效的，而
编程是有效的。
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文档。 1078号，版本我
CATALYST [ CATALYST SEMICONDUCTOR ]
