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CAT28F001G-12BT 参数 Datasheet PDF下载

CAT28F001G-12BT图片预览
型号: CAT28F001G-12BT
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内容描述: 1兆位的CMOS引导块闪存 [1 Megabit CMOS Boot Block Flash Memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路
文件页数/大小: 18 页 / 456 K
品牌: CATALYST [ CATALYST SEMICONDUCTOR ]
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CAT28F001
擦除和编程性能
28F001-90
参数
引导块擦除时间
引导块编程时间
参数块擦除时间
参数块编程时间
主要的块擦除时间
主座计划时间
芯片擦除时间
芯片编程时间
典型值
2.10
0.15
2.10
0.07
3.80
2.10
10.10
2.39
最大
14.9
0.52
14.6
0.26
20.9
7.34
65
8.38
28F001-12
典型值
2.10
0.15
2.10
0.07
3.80
2.10
10.10
2.39
最大
14.9
0.52
14.6
0.26
20.9
7.34
65
8.38
单位
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
功能表
(1)
引脚
模式
输出禁用
待机
签名( MFG )
签名(设备)
写周期
深度掉电
写命令表
命令被写入命令寄存器中的一个或2个写周期。写周期也在内部锁存
地址和数据需要的编程和擦除操作。
模式
读阵列/复位
程序安装/
节目
读状态寄存器。
清除状态寄存器。
删除安装/删除
CON连接RM
擦除挂起/
删除恢复
阅读SIG( MFG)
阅读SIG(开发)
第一总线周期
经营地址
D
IN
X
A
IN
X
X
区块广告
X
X
X
FFH
40H
10H
70H
50H
20H
B0H
90H
90H
区块广告
X
0000H
0001H
D0H
D0H
31H
94H-28F001T
95H-28F001B
A
IN
X
D
IN
圣注册。数据
手术
第二个总线周期
地址
D
IN
D
OUT
RP
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
CE
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
X
OE
V
IL
V
IH
X
V
IL
V
IL
V
IH
X
WE
V
IH
V
IH
X
V
IH
V
IH
V
IL
X
V
PP
X
X
X
X
X
X
X
I / O
D
OUT
高-Z
高-Z
31H
94H-28F001T
95H-28F001B
D
IN
高-Z
A
0
= V
IL
, A
9
= 12V
A
0
= V
IH
, A
9
= 12V
在写周期
笔记
注意:
( 1 )逻辑电平:X =逻辑'无关' (V
IH
, V
IL
, V
PPL
, V
PPH
)
7
文档。 1078号,版本我