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NE6510179A 参数 Datasheet PDF下载

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型号: NE6510179A
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内容描述: NEC的3W , L& S波段中功率的GaAs HJ- FET [NECs 3W, L&S-BAND MEDIUM POWER GaAs HJ-FET]
分类和应用: 晶体射频场效应晶体管放大器
文件页数/大小: 10 页 / 287 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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NE6510179A
TYPICAL APPLICATION CIRCUIT PERFORMANCE at V
DS
= 3 V and V
DS
= 5 V
ACPR
vs. OUTPUT POWER
ACPR
vs. OUTPUT POWER
35
Third Order Intermodulation Distortion, IM
3
(dBc)
Third Order Intermodulation Distortion, IM
3
(dBc)
ACPR1
885 KHz
40
35
F
C
= 1.96 GHz,
V
DS
= 5 V
ACPR1
64 CH IS95 CDMA
885 KHz
40
45
ACPR2
1.25 MHz
45
50
50
55
ACPR2
1.25 MHz
55
100 mA
200 mA
400 mA
600 mA
800 mA
60
F
C
= 1.96 GHz,
V
DS
= 3 V
,
64 CH IS95 CDMA
65
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
Output Power, P
OUT
(dBm)
60
65
23
25
27
29
31
Output Power, P
OUT
(dBm)
I
DSQ
= 100 mA
I
DSQ
= 200 mA
I
DSQ
= 400 mA
I
DSQ
= 600 mA
I
DSQ
= 800 mA
33
35