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NE3509M04-A 参数 Datasheet PDF下载

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型号: NE3509M04-A
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内容描述: L到S波段低噪声放大器N沟道HJ -FET [L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET]
分类和应用: 晶体放大器晶体管光电二极管ISM频段
文件页数/大小: 11 页 / 1257 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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NE3509M04
参考数据
最小噪声系数,相关的增益
与DREIN CURRENT
2.0
1.8
最低Niose图
NFmin ( dB)的
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
10
20
Drein电流ID (MA )
30
40
NFmin
Ga
F = 2.5GHz的, VDS = 2V
20
18
相关的增益
嘎(分贝)
14
12
10
8
6
4
2
0
最低Niose图
NFmin ( dB)的
16
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
1
最小噪声系数,相关的增益
与DREIN至源极电压
20
18
16
F = 2.5GHz的, IDS = 10毫安
12
10
8
NFmin
6
4
2
0
1.5
2
2.5
3
3.5
Drein至源极电压VDS ( V)
相关的增益
嘎(分贝)
Ga
14
@ F = 2.4GHz的, VDS = 2V , ID = 10毫安(非RF)
40
30
20
10
0
的Pout ( dBm的)
35
30
25
20
15
10
5
0
ID (MA )
50
45
40
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-25
-20
-15
-10
-5
PIN ( DBM)
Pout(2tone)
IM3L
IM3H
Id
0
5
10
15