NE66719 参数 Datasheet PDF下载

型号：	NE66719
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内容描述：	NEC的NPN硅高频三极管 [NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管光电二极管放大器
文件页数/大小：	8 页 / 107 K
品牌：	CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]

NE66719

典型性能曲线

= 25°C)

总功耗对比

环境温度

200

0.5

反向传输电容

与集电极 - 基极电压

总功率耗散，P

合计

（ mW）的

安装在玻璃环氧树脂板

（ 1.08厘米

×1.0毫米（ t））的

200

反向传输电容C

F = 1 MHz的

0.4

115

100

0.3

0.2

0.1

100

125

150

环境温度，T

(°C)

集电极BaseVoltage V

(V)

集电极电流主场迎战

基地发射极电压

= 2 V

集电极电流主场迎战

集电极到发射极电压

µA

步

450

µA

集电极电流，I

（MA ）

集电极电流，L

（MA ）

250

µA

= 50

µA

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

基地发射极电压，V

(V)

集电极到发射极电压，V

(V)

直流电流增益主场迎战

集电极电流

1000

= 2 V

增益带宽与

集电极电流

F = 2 GHz的

增益Bandwdth ，女

（千兆赫）

直流电流增益， hFE参数

100

= 1 V

0.001

0.01

0.1

100

集电极电流，I

（MA ）

集电极电流，I

（MA ）

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