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NE68139R-T1 参数 Datasheet PDF下载

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型号: NE68139R-T1
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内容描述: NPN硅高频三极管 [NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR]
分类和应用:
文件页数/大小: 21 页 / 627 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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NE681系列
典型性能曲线
(T
A
= 25°C)
直流电源降额曲线
集电极基极电容
与集电极 - 基极电压
集电极基极电容,C
OB (
pF的)
400
5.0
总功率耗散,P
T
( mW)的
3.0
2.0
300
1.0
0.7
0.5
200
NE68133
100
NE68135
0.3
0.2
NE68133
NE68135
0.1
1
2
3
5
7
10
20
30
50
0
0
50
100
150
200
环境温度,T
A
(°C)
集电极 - 基极电压,V
CB
(V)
正向电流增益
与集电极电流
500
增益带宽积
与集电极电流
50
增益带宽积,女
T
(千兆赫)
V
CE
= 8 V
正向直流电流增益,H
FE
300
200
30
20
V
CE
= 8 V
100
70
50
30
20
10
7
5
3
2
10
1
2
3
5
7
10
20
30
50
1
1
2
3
5
7 10
20
30
50
集电极电流,I
C
(MA )
NE68133
噪声系数
与集电极电流
3.0
V
CE
= 8 V
F = 1 GHz的
2.5
集电极电流,I
C
(MA )
NE68100 & NE68135
噪声系数
与集电极电流
3.0
V
CE
= 8 V
F = 2 GHz的
2.5
噪声系数NF ( dB)的
2.0
噪声系数NF ( dB)的
1
2
3
5
7
10
20
30
50
2.0
1.5
1.5
1.0
1.0
0.5
0.5
0
1
2
3
5
7
10
20
30
50
0
集电极电流,I
C
(MA )
集电极电流,I
C
(MA )