欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

NE97833-T1B-A 参数 Datasheet PDF下载

NE97833-T1B-A图片预览
型号: NE97833-T1B-A
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: PNP硅高频三极管 [PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 6 页 / 170 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
 浏览型号NE97833-T1B-A的Datasheet PDF文件第1页浏览型号NE97833-T1B-A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NE97833-T1B-A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NE97833-T1B-A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NE97833-T1B-A的Datasheet PDF文件第6页  
NE97833
典型性能曲线
(T
A
= 25°C)
直流电流增益
集电极电流
100
V
CE
= -10 V
6
V
CE
= 10 V
F = 1 GHz的
噪声系数
集电极电流
直流电流增益,H
FE
噪声系数NF
-100
-1000
4
10
2
1.0
-0.1
0
-1.0
-10
1
10
100
集电极电流,I
C
(MA )
集电极电流,I
C
(MA )
开关特性
单位
t
ON
(延迟)的
t
r
参数
导通延迟时间
上升时间
单位
ns
ns
ns
ns
V
IN
= 1 V
典型值
1.10
0.77
0.40
0.79
t
关闭
(延迟)关断延迟时间
t
f
下降时间
开关时间测量电路
V
CC
(-)
R
C1
V
OUT
V
IN
R
S
R
L1
采样
示波器
R
C2
R
L2
V
IN
t
上(延迟)
20纳秒
t
r
t
f
t
关闭
(延迟)的
50
V
BB
(-)
V
OUT
R
E
V
EE
(+)
V
IN
= 1 v, V
BB
= -0.5 V ,R
C1
= R
C2
R
S
(Ω)
160
R
C
(Ω)
1K
R
L1
(Ω)
200
R
L2
(Ω)
250
R
E
(Ω)
2.7 K
V
EE
(V)
27
V
CC
(V)
26.3