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NESG2107M33 参数 Datasheet PDF下载

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型号: NESG2107M33
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内容描述: NEC的NPN硅晶体管 [NECs NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 305 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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NESG2107M33
电气特性
(T
A
=+25ºC)
参数
DC特性
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
射频特性
反向传输电容
噪声系数
相关的增益
增益带宽积( 1 )
增益带宽积( 2 )
插入功率增益( 1 )
插入功率增益( 2 )
C
re
注2
NF
G
a
f
T
f
T
|S
21e
|
2
|S
21e
|
2
V
CB
= 1 V,I
E
= 0 mA时, F = 1兆赫
V
CE
= 1 V,I
C
= 5毫安, F = 2 GHz时,
Z
S
= Z
选择
V
CE
= 1 V,I
C
= 5毫安, F = 2 GHz时,
Z
S
= Z
选择
V
CE
= 1 V,I
C
= 5毫安, F = 2 GHz的
V
CE
= 1 V,I
C
= 20 mA时, F = 2 GHz的
V
CE
= 1 V,I
C
= 5毫安, F = 2 GHz的
V
CE
= 1 V,I
C
= 20 mA时, F = 2 GHz的
7
7
7.5
0.5
0.9
10
10
20
9
10
0.7
1.5
pF
dB
dB
GHz的
GHz的
dB
dB
I
CBO
I
EBO
h
FE
注1
V
CB
= 5 V,I
E
= 0毫安
V
EB
= 0.5 V,I
C
= 0毫安
V
CE
= 1 V,I
C
= 5毫安
140
180
100
100
220
nA
nA
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
注意事项1 。
脉搏测量: PW
350
μs,
占空比
2%
2.
集电极基极电容,当发射器接地
h
FE
分类
记号
h
FE
价值
FB
D7
140至220