CTM8B54E/55E/56E/57E
基于EPROM的8位CMOS微控制器
4.0绝对最大额定值
工作环境温度
储存温度
直流电源电压（V
dd
)
相对于接地电压（V
ss
)
电压MCLR （V
pp
）相对于地面（V
ss
)
-55
o
C至+ 125
o
C
-65
o
C至+150
o
C
0V至+ 7.5V
0.6V至（V
dd
+ 0.6)V
0V至+ 12V
5.0工作条件
直流电源电压
Operaing温度图
+ 2.3V至+ 6.5V
-40
o
C至+ 85
o
C
6.0电气特性
（在工作条件）
CTM8B54E / 56E的6.1电气特性
参数
输入高电压
输入低Volatge
输出电压
睡眠电流
符号
V
IH
V
IL
V
Oh
V
OL
I
PD
I
PD
3.0
<1
8.07
I
DD
5.16
3.98
2.05
2.8
1.77
工作电流
I
DD
1.31
604
224
88
6.21
I
DD
3.91
2.71
1.39
685
3.8
0.6
分钟。
典型值。
2.2
4.2
1.1
1.0
马克斯。
单位
条件
I / O端口，V
dd
=5V
V
MCLR ，V
dd
=5V
V
V
V
V
V
uA
uA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
uA
uA
uA
mA
mA
mA
mA
uA
I / O端口，V
dd
=5V
MCLR ，V
dd
=5V
I / O端口，V
dd
= 4.5V ，我
oh
=-5.4mA,
I
ol
= 8.7毫安在RC模式
WDT启用，V
dd
=3.0V
WDT禁用，V
dd
=3.0V
HFXTAL ： 24MHz的， WDT关闭
V
dd
=6.4V
V
dd
=5.0V
V
dd
=4.0V
V
dd
=3.0v
LFXTAL ： 32kHz时， WDT关闭
V
dd
=6.4V
V
dd
=5.0V
V
dd
=4.0V
V
dd
=3.0V
V
dd
=2.4V
V
dd
=2.1V **
XTAL ： 12MHz时， WDT关闭
V
dd
=6.4V
V
dd
=5.0V
V
dd
=4.0V
V
dd
=3.0V
V
dd
=2.4V
*所有规格和上述主题显示应用更改，恕不另行通知。
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第12页的
23
1.1版十二月26,2001
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