CTM8B54E/55E/56E/57E
基于EPROM的8位CMOS微控制器
3.4复位
此设备可被复位由下列方式之一进行：
（ 1 ）上电复位：上电时，该器件将保持在复位状态，为期18毫秒后
在MCLR / V的电压
pp
针已经达到逻辑高电平。
（ 2 ） MCLR复位（正常工作） 。
（ 3 ） WDT复位（正常工作） 。
（ 4 ） MCLR唤醒（从睡眠模式） 。
（ 5 ） WDT唤醒（从睡眠模式） ：执行SLEEP指令可以强制该器件进入
睡眠模式（省电模式） 。而在睡眠模式下， WDT被清零并保持运行。这
设备可以通过WDT超时被唤醒或复位输入MCLR引脚上。
复位后的寄存器的内容如下：
地址
00h
01h
02h
03h
04h
05h
06h
07h
07h-1Fh
不适用
不适用
不适用
INAR
Timer0
PC
状态
FSR
PORTA
PORTB
PORTC
通用寄存器
加
IOST
T0MODE
注册
上电复位
xxxx xxxx
xxxx xxxx
1111 1111
0001 1xxx
1xxx xxxx
---- xxxx
xxxx xxxx
xxxx xxxx
xxxx xxxx
xxxx xxxx
1111 1111
--11 1111
/ MCLR或WDT复位
uuuu uuuu
uuuu uuuu
1111 1111
000# #uuu
1uuu uuuu
---- uuuu
uuuu uuuu
uuuu uuuu
uuuu uuuu
uuuu uuuu
1111 1111
--11 1111
注： x =未知， u =不变， - =未实现，读为“ 0 ” ，
＃ =参考下面的表
条件
/ MCLR复位（非SLEEP期间）
在休眠状态/ MCLR复位
WDT复位（不睡觉时）
休眠期间WDT复位
状态：第4位
u
1
0
0
状态： 3位
u
0
1
0
*所有规格和上述主题显示应用更改，恕不另行通知。
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1.1版十二月26,2001
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