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CEU01N6 参数 Datasheet PDF下载

CEU01N6图片预览
型号: CEU01N6
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 85 K
品牌: CET [ CHINO-EXCEL TECHNOLOGY ]
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CED01N6/CEU01N6
电气特性
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流,正向
门体漏电流,反向
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源
导通电阻
动态特性
c
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
b
c
TC = 25℃ ,除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250µA
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
V
GS
= 30V, V
DS
= 0V
V
GS
= -30V, V
DS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250µA
V
GS
= 10V ,我
D
= 0.4A
2
12
650
1
10
-10
4
15
典型值
最大
单位
V
µA
µA
µA
6
V
g
FS
b
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
V
DS
= 20V ,我
D
= 0.4A
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1.0 MHz的
0.5
136
46
19
19
38
26
48
70
8
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.8
A
V
V
DD
= 300V ,我
D
= 0.4A,
V
GS
= 10V ,R
= 4.7Ω
13
24
35
6
1.0
4.4
V
DS
= 480V ,我
D
= 0.8A,
V
GS
= 10V
漏源二极管特性及最大额定值
V
GS
= 0V时,我
S
= 0.8A
1.6
注意事项:
a.Repetitive评级:脉冲宽度有限的最高结温。
b.Pulse测试:脉冲宽度< 300μS ,占空比< 2 % 。
设计c.Guaranteed ,不受生产测试。
D.L = 190mH ,我
AS
= 0.8A ,V
DD
= 50V ,R
G
= 25Ω ,起始物为
J
= 25 C .
2