CHT2312PT 参数 Datasheet PDF下载

型号：	CHT2312PT
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内容描述：	N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	3 页 / 191 K
品牌：	CHENMKO [ CHENMKO ENTERPRISE CO. LTD. ]

额定值特性曲线（ CHT2312PT ）

电气特性

符号

参数

= 25 ° C除非另有说明

条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

DSS

GSSF

GSSR

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏

= 0 V，I

= 250 µA

= 20 V, V

= 0 V

= 8V, V

= 0 V

= -8V, V

= 0 V

+100

-100

µA

基本特征

（注2 ）

GS （ TH）

DS （ ON）

栅极阈值电压

静态漏源导通电阻

= V

, I

= 50 µA

= 4.5V ，我

=5.0A

= 2.5V ，我

=4.5A

0.5

Ω

正向跨导

= 10V ，我

= 5.0A

开关特性

（注4 ）

关闭

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

开启时间

上升时间

打开-O FF时间

下降时间

= 10V ，我

=5.0A

=4.5V

= 10V

= 1.0A ，V

= 4.5 V

根

= 6

Ω

2.3

2.9

108

漏源二极管的特性和最大额定值

漏源二极管的正向电流

（注1 ）

（注2 ）

1.7

1.2

漏源二极管正向电压I

= 1.0A ，V

= 0 V

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