CS5132
应用信息：继续
CS5132为基础的双输出
降压稳压器设计实例
第1步：定义产品规格
输入电压从“银盒”电源
•转换为输出电压5V ± 5 ％
• 12V ± 5％，对于NFET的栅极电压和电路的偏置
输出电压
• 2.0V @ 16A的V
CC （核心）
• 3.3V @ 8A的V
I / O
• 5％的总电压精度（负载，线路，温度，
纹波）
• 2 ％的直流& 5 ％AC电压精度
• < 2％的输出电压纹波
• 15A负载阶跃@ 20A /μs的 - V
CC （核心）
• 7A负载阶跃@ 5A /μs的 - V
I / O
热管理
• 0〜50 ° C的环境温度范围内
•在manufactur-组件结温
呃的满负荷&牛逼指定评级
A（最大值）
组件
•低成本是首要任务。
•表面尽可能安装
•体积小巧重要
•组件额定值在80 ％最大的决定
负载
步骤2：确定输出电容器
这些组件必须选择并小心放置
得到最佳结果。电容器应选择亲
韦迪接受的纹波稳压器的输出电压。关键
规格为输入电容纹波自己的评价，
而ESR是输出电容的重要。为了获得最佳转录
过性响应，较低的值/高频率的组合
并放置在靠近负载的大容量电容器将
所需。
步骤2a ：对于2V输出（V
CC （核心）
)
在负载瞬变具有高达20A / μs的压摆率，同时
瞬态期间的电压降必须保持较少
超过100mV的。输出电容必须持有输出
由于电感电流规定范围之内的电压可以
与所要求的压摆率变化。输出电容
因此器必须具有非常低的ESL和ESR 。
在负载阶跃瞬态电压是
DV
OUT
=
DI
OUT
´
ESL =
ESR =
输出电容放电过程中的瞬态 - 10mV的
最大允许的ESR为：
0.08V
15A = 5.3m�½.
的ESR为1200μF / 10V三洋电容式GX是
44m�½ per capacitor.
44
电容器数= 5.3
@
8.
总ESR =
44
8 = 5.5m�½.
输出电压偏差由于ESR ：
DV
= 15A
´
5.5m�½ = 82mV.
在ESL由下式计算
DI
Dt
=
20A
,
µs
-6
ESL =
DV “ Dt的
= 0.01V
´
1
´ 10
= 0.5nH 。
20
DI
据估计，有10
´
12毫米铝电解
电容器的封装电感约为4nH的。在
这种情况下，我们有一个总的平行八（8）的电容器
电容的ESL ：
4nH
8
= 0.5nH 。
输出电压偏差，由于ESL ：
DV
= ESL
æ DI
= 0.5nH
´
20A = 10mV的。
1µs
Dt
瞬态期间在电容器电压的变化是：
DV
C
=
DI “
t
TR
C
OUT
,
其中T
TR
是输出电压的瞬态响应时间。我们
选择自己
TR
= 6µs:
DV
C
=
15A
´ 6µs
8
´ 1200µF
= 9MV 。
(
ESL
Dt
t
TR
+电渣重熔+ C
OUT
)
在输出电压总变化为增加的结果
一个15A的步骤与20A的负载电流/ μs的转换速率为：
,
DV
OUT
= （ 82mV + 10mV的+ 9MV ） = 101mV 。
步骤2b ：对于3.3V输出（V
I / O
)
在V
I / O
负载瞬态有5A / μs的压摆率，同时
瞬态期间的电压降必须保持较少
11
其中T
TR
=输出电压的瞬态响应时间。
在输出电压中的总变化被划分如下：
ESR - 80mV的
ESL - 10mV的
CHERRY [ CHERRY SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
