CS5132
应用信息：继续
超过± 165MV 。重复步骤2a中，我们选择四（4 ）
1200μF / 10V三洋GX输出电容。
步骤3 ：占空比，开关频率，T
ON
＆放大器;牛逼
关闭
占空比
»
V
OUT
/ V
IN 。
D = 2.0V / 5V = 40 ％为2V输出。
D = 3.3V / 5V = 66 ％的3.3V输出。
选择200kHz的开关频率（F
SW
).
步骤3a ：计算导通时间为2V输出
T
ON
=
计算关断时间：
T
关=
1
F
SW
选择C
OFF1
电容来设置关断时间：
C
OFF1
=
期
´
(1-D)
=
3980
5µs
´
0.6
3980
= 750pF 。
- T
ON
= 5µs - 2µs = 3µs.
I
L（峰）
= I
OUT
+
D
F
SW
=
0.40
200kHz
= 2µs
计算电感值：
L=
(V
IN
- V
OUT
) t
TR
DI
=
(5V-2V)
´
6µs
15A
=
3V
´
6µs
15A
=1.2µH.
步骤4a ：选择2V输出2 ％纹波
DV
OUT
= 2%
´
2V = 40mV以内
允许的最大电感纹波电流为2 ％
纹波2V输出为：
DI
L
=
DV
OUT
总ESR
=
40mV
5.5m�½
= 7.3A,
这对应于下面的最大电感
峰谷电流：
( )
DI
L
2
DI
L
= 16A +
2
(
(
7.3A
2
7.3A
2
)
= 19.6A,
)
= 12.4A.
= 5A.
I
L（谷）
= I
OUT
-
( )
= 16A -
所选择的1.2μH电感产生的纹波以下
当前位置：
DI
L
=
(V
IN
- V
OUT
)
´
D
F
SW
´
L
=
(5V - 2V)
´
0.4
200kHz
´
1.2µH
一个标准的C
OFF1
为680pF的电容值可以被使用。
在3980因素是CS5132的特性。
步骤3b ：计算导通时间为3.3V输出
T
ON
=
计算关断时间：
T
关闭
=
1
F
SW
- T
ON
= 5µs Ð 3.3µs = 1.7µs.
0.66
D
=
= 3.3µs
F
SW
200kHz
最大电感峰值电流为：
I
L（峰）
= 16A +
5A
= 16A + 2.5A = 18.5A.
2
电感谷值电流变为：
I
L（谷）
= 16A -
5A
= 16A - 2.5A = 13.5A.
2
选择C
OFF2
为390pF 。
第4步：输出电感
电感器应根据它的电感来选择
电流能力，并且直流电阻。增加电感
器值将降低输出电压纹波，但降低
瞬态响应。有许多因素要考虑
选择电感器，包括：成本，效率， EMI和
便于制造。电感器必须能够处理
的峰值电流在开关频率不饱和
等级，并且在卷绕所述的铜电阻应
保持尽可能低，以最小化电阻功率损耗。
有多种材料和类型的磁
芯可用于这种应用。其中
有：铁氧体，钼坡莫合金芯（ MPP） ，无定形和
铁粉芯。我们将使用压粉铁芯。
铁粉末磁芯是非常合适的，因为它们的高卫星 -
uration磁通密度，并有在高频下损耗低，
一个分布式的差距，表现出非常低的EMI。
上面的值是公最大允许内
电感的峰值和谷值电流为2 ％的输出电压
纹波。
选择环形铁粉芯，成本低，核心损失 -
ES在200kHz ，低EMI 。
选择XFMRS公司， XF0016 - VO 4 1.2μH电感器带有R
DC
=
0.003�½ typical, 0.008�½ maximum.
步骤4b ：在3.3V输出选择2 ％纹波
重复步骤4a为3.3V输出，我们发现3.5μH是
合适的值该输出。
第5步：输入电容器
这些组件必须选择并小心放置
得到最佳结果。电容器应选择亲
韦迪接受的纹波输入电源线。关键试样
fications的输入电容纹波的评级。
步骤5a ： V
CC （核心）
降压稳压器的输入电容器
输入电容C
IN
还应当能够处理的
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CHERRY [ CHERRY SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
