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    BD246C 参数 Datasheet PDF下载

    BD246C图片预览
    型号： BD246C
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP单扩散MESA硅功率晶体管 [PNP SINGLE-DIFFUSED MESA SILICON POWER TRANSISTORS]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 75 K
    品牌： COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BD246C的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BD246C的Datasheet PDF文件第3页  
    BD246 ， A，B ，C
    电气特性
    TC = 25° C除非另有说明
    符号
    I
    CES
    评级
    集电极 - 发射
    截止电流
    V
    CE
    V
    CE
    V
    CE
    V
    CE
    测试条件（S ）
    民
    -
    典型值
    -
    Mx
    -0.4
    单位
    mA
    = -55 V , V
    BE
    = 0
    = -70 V , V
    BE
    = 0
    = -90 V , V
    BE
    = 0
    = -115 V , V
    BE
    = 0
    I
    首席执行官
    集电极截止
    当前
    发射极截止
    当前
    集电极 - 发射
    击穿电压
    (*)
    V
    CE
    = -30 V，I
    B
    = 0
    V
    CE
    = -60 V，I
    B
    = 0
    V
    E B
    = -5 V，I
    C
    = 0
    BD246
    BD246A
    BD246B
    BD246C
    BD246
    BD246A
    BD246B
    BD246C
    -
    -
    -0.7
    mA
    I
    EBO
    -
    BD246
    BD246A
    BD246B
    BD246C
    -45
    -60
    -80
    -100
    40
    20
    4
    -
    -
    -
    -
    20
    3
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -1
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -1
    -4
    -1.6
    -3
    -
    mA
    V
    首席执行官
    I
    C
    = -30毫安，我
    B
    = 0
    V
    h
    FE
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE
    h
    fe
    |h
    fe
    |
    V
    CE
    = -4 V，I
    C
    = -1 A
    直流电流增益（ * ）V
    CE
    = -4 V，I
    C
    = -3 A
    V
    CE
    = -4 V，I
    C
    = -10 A
    I
    C
    = -3 A，I
    B
    = -300毫安
    集电极 - 发射极
    饱和电压（ * ）I
    C
    = -10 A，I
    B
    = -2.5 A
    V
    CE
    = -4 V，I
    C
    = -3 A
    基射
    电压（*）
    V
    CE
    = -4 V，I
    C
    = -10 A
    小信号转发
    V = -10 V，I
    C
    = -500毫安， F = 1MHz的
    电流传输比
    CE
    小信号转发
    V = -10 V，I
    C
    = -500毫安， F = 1MHz的
    电流传输比
    CE
    -
    V
    V
    -
    -
    电阻式负载开关特性在25° C外壳
    温度
    符号
    评级
    测试条件（S ）
    民
    典型值
    Mx
    单位
    开启时间
    t
    on
    t
    关闭
    打开-O FF时间
    I
    C
    = -1时，我
    B（上）
    = -100毫安，我
    B（关闭）
    =
    百毫安
    V
    BE （OFF）的
    = 3.7 V ，R
    L
    = 20
    Ω ,
    t
    p
    = 20
    µs
    dc
    ＆ LT ;
    2%
    I
    C
    = -1时，我
    B（上）
    = -100毫安，我
    B（关闭）
    =
    百毫安
    V
    BE （OFF）的
    = 3.7 V ，R
    L
    = 20
    Ω ,
    t
    p
    = 20
    µs
    dc
    ＆ LT ;
    2%
    半导体COMSET
    -
    0.2
    -
    µs
    -
    0.8
    -
    25/09/2012
    2/3

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